Исследование рекомбинации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных структурах p-CdxHg 1-xTe/ CdTe СВЧ методом
Бородовский П.А.1, Булдыгин А.Ф.1, Ремесник В.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.
Проведен анализ влияния неоднородности состава по толщине эпитаксиального слоя и поверхностной рекомбинации на измеренное СВЧ методом время релаксации фотопроводимости tau при комнатной температуре и температуре жидкого азота. Показано, что значения tau, полученные при комнатной температуре, коррелируют с профилем неоднородности состава по глубине эпитаксиального слоя, а при температуре жидкого азота - с усредненным по толщине пленки значением x. В эпитаксиальных слоях с концентрацией дырок ниже 1016 см-3 tau ограничивается поверхностной рекомбинацией (S>104 см/с).
- Н.С. Барышев, Б.Л. Гальмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, \bf 24, 209 (1990)
- В.В. Зуев, А.И. Клышевич, А.А. Стяпонавичюс, М.П. Яковлев. ФТП, \bf 26, 171 (1992)
- Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Константинова, В.К. Огородников. ФТП, \bf 26, 2202 (1982)
- R. Fastow, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., \bf 66, 1705 (1989)
- R. Fastow, D. Goren, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., \bf 67, 1749 (1990)
- G. Sarusi, A. Zemel, D. Eger. J. Appl. Phys., \bf 72, 2312 (1992)
- S.A. Studenikin, I.A. Panaev. Semicond. Sci. Technol., \bf 8, 1324 (1993)
- В.А. Заварицкая, А.В. Кудинов, В.А. Миляев, В.А. Никитин, А.М. Прохоров, А.В. Широков. ФТП, \bf 18, 2160 (1984)
- П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, Д.Г. Тарло. А.с. СССР N 1689874. БИ, \bf 41 (1991)
- A. Jozwikowska, K. Jozwikowska, A. Rogalski. Infr. Phys., \bf 31, 543 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
