"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si--SiO 2: эксперимент и модели
Емельянов А.М.1, Голубев В.В.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

Изучено влияние циклов отжига в водороде и gamma-облучения на электрофизические параметры границы Si-SiO2 МОП структур с термическими пленками SiO2, полученными в ''сухом'' O2. После отжига в водороде в структурах отсутствовала ''память'' о предшествующем gamma-облучении. Развиты модельные представления о механизмах генерации и аннигиляции поверхностных состояний. В соответствии с результатами настоящей статьи генерации поверхностных состояний связана с радиолизом включений воды в объеме SiO2 и распадом групп =Si-H на границе Si-SiO2 при участии радиолитических ионов H+. Предложенные модели качественно объясняют уменьшение плотности поверхностных состояний, вызванное ионизирующим облучением.
  1. О.В. Вовк, В.П. Лелеченко, В.И. Солошенко. Я.О. Ройзин, В.Н. Чкунина. ФТП, \bf 27, 1349 (1993)
  2. N.S. Saks, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-\bf 37, 1626 (1990)
  3. N.S. Saks, R.W. Rendell. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 3014 (1992)
  4. R.E. Stahlbush, B.J. Mrstik, R.K. Lawrence. IEEE Trans. Nucl. Sci., \bf 37, 1641 (1990)
  5. B.J. Mrstik, R.W. Rendell. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 3012 (1991)
  6. J.H. Stathis, D.J. DiMaria. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 2887 (1992)
  7. А.М. Емельянов, В.В. Голубев, В.Г. Коссов. В сб.: \it Тез. докл. III Всес. науч. техн. семинара "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем" (Рязань, 1984) ч. 1, с. 118
  8. А.М. Емельянов. Микроэлектроника. 15, 434 (1986)
  9. А.М. Емельянов, В.В. Голубев, Г.О. Карапетян, В.Г. Коссов. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 2, 77 (1988)
  10. А.М. Емельянов. Тез. докл. конференций. Сер. 6, \it Материалы, "Электрофизика слоистых структур", N 4 (280), 111 (1988)
  11. В.А. Гуртов. \it Основы физики структур металл--диэлектрик--полупроводник (Петрозаводск, 1983)
  12. J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W. Collins. Adv. Electron.: Electron. Phys., \bf 58, 1 (1982)
  13. F.J. Feigl, D.R. Young, D.J. DiMaria, S. Lai, J. Calise. J. Appl. Phys., \bf 52, 5665 (1981)
  14. A. Balasinski, T.P. Ma. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 3170 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.