"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сульфидная пассивация поверхности GaAs: открепление уровня Ферми
Бедный Б.И.1, Байдусь Н.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 26 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Показано, что модифицированная сульфидная обработка поверхности n-GaAs (100), включающая химическую обработку в растворе Na2S·9H2O и отжиг в вакууме при температуре 250/300oC приводит к откреплению поверхностного уровня Ферми. Эффект открепления проявляется в значительном уменьшении плотности поверхностных состояний и приповерхностного изгиба зон. Экспериментальные результаты объясняются формированием упорядоченного покровного сульфидного слоя, в котором адатомы серы замещают атомы мышьяка и образуют химические связи с атомами галлия.
  1. Арсенид галлия в микроэлектронике (М., 1988)
  2. R.S. Besser, C.R. Helms. Appl. Phys. Lett., 52, 1707 (1988)
  3. W.E. Spicer, N. Newman, C.J. Spindt, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. J. Vac. Sci. Techn. A., 8, 2084 (1990)
  4. J.A. Silberman, T.J. de Lyon, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 59, 3300 (1991)
  5. И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, М.В. Степихова. ФТП, 27, 1736 (1993)
  6. Б.И. Бедный, Е.А. Ускова. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 6, 85 (1994)
  7. Б.И. Бедный, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 1, 94 (1991)
  8. Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, И.А. Карпович, А.Н. Савинов. Деп. ВИНИТИ, N 5293-84 (1984)
  9. Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, И.А. Карпович. ФТП, 17, 1302 (1983)
  10. В.Л. Берковиц, В.Н. Бессолов, Т.В. Львова, Е.Б. Новиков, В.И. Сафаров, Р.В. Хавиева, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1406 (1991)
  11. Б.И. Бедный. Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 10, 58 (1993)
  12. T. Saiton, H. Hasegawa. \it Extended Abstracts of the Devices and Materials (Sendai, 1990), p. 155
  13. E. Ikeda, H. Hasegawa, S. Ohtsuka, H. Ohno. Japan. J. Appl. Phys., 27, 180 (1988)
  14. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991)
  15. J. Shin, K.M. Geib, C.W. Wilmsen, Z. Liliental-Weber. J. Vac. Sci. Techn., A8, 1894 (1990)
  16. Y. Nannichi, H. Shigekawa, H. Oihawa, H. Hashizume, V. Oshima. \it Photon Fact. Activ. Rept. (1991) 9 [Tsukuba (1992)]
  17. T. Scimeca, Y. Vuramatsu, M. Oshima, H. Oigawa, Y. Nannichi. \it Photon Fact. Activ. Rept. (1991) 9 [Tsukuba (1992)]
  18. T. Ohno. Phys. Rev. B, 44, 6306 (1991)
  19. M. Oshima, T. Scimesa, Y. Watanabe, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 32, 518 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.