"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект сегрегации ртути при импульсном лазерном отжиге Cd xHg 1- xTe
Кузьма М.1, Поцяск М.1, Шерегий Е.1, Кемпник В.1, Фарина М.1, Цях Р.1
1Институт физики Высшей педагогической школы, 35--310 Жешув, Польша
Поступила в редакцию: 4 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Получено непосредственное экспериментальное подтверждение образования резкого максимума концентрации ртути на малой (0.2 мкм) глубине от облучаемой повехности под воздействием многократного импульсного отжига кристаллов CdxHg1-xTe (x=0.2) излучением лазера YAG : Nd3+.
  1. C.N. Afonso, M. Alonso, J.L.H. Neira et al. J. Vac. Sci. Technol., A7, 3256 (1989)
  2. П.В. Голошинин, К.Е. Миронов, А.Я. Поляков. Поверхность. Физика, химия, механика, N 12, 12 (1991)
  3. Г.Г. Громов, С.В. Серегин, С.В. Жук, В.Б. Уфимцев. Физика и химия обраб. материалов, N 4, 19 (1990)
  4. M. Kuzma, C. Abeynayake, E. Sheregii, I. Virt. Acta Phys. Polon. A, 8C, 475 (1991)
  5. И.С. Вирт, М. Кузьма, Е.М. Шерегий, П.С. Шкумбатюк. ФТП, 26, 562 (1992)
  6. А. Валь, М. Кузьма, М. Поцяск, Е.М. Шерегий. ФТП, 27, 622 (1993)
  7. G. Schottky. Phys. St. Sol. (b), 8, 357 (1965)
  8. M. Wautelet, P. Quenon, C. Antoniadis, L.D. Laude. Semicond. Sci. Technol., 2, 453 (1987)
  9. В.И. Фикс. \it Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969)
  10. В.П. Воронков, Г.А. Гурченок. ФТП, 24, 1831 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.