"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инжекция и полевая ионизация ловушек в монокристаллах MnGa2Se4
Тагиев Б.Г.1, Тагиев О.Б.1, Мусаева Н.Н.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 18 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

В работе изучены явления инжекции и полевой ионизации ловушек в монокристаллах MnGa2Se4 с удельным сопротивлением 109/1010 Ом· см, прямой шириной запрещенной зоны Egd=2.56 эВ и непрямой Egi=2.12 эВ, полученных методом химических транспортных реакций. На основе исследования вольт-амперных характеристик структурIn--MnGa2Se4--In в электрических полях до 105 В/см в интервале температур 180/360 K и температурной зависимости электропроводности определены следующие параметры: концентрация носителей тока у катода nk0=5.5·106/2·108 см-3, энергия квазиуровня Ферми EF=0.6 эВ, концентрация ловушек Nt=1.2·1014/2· 1015 см-3, расстояние от ловушки до максимума потенциального барьера rm=3.7·10-6 см, длина свободного пробега электрона lambda=4.7· 10-6 см. Установлено, что в электрических полях меньше 103 В/см имеет место монополярная инжекция носителей тока, которые захватываются глубокими ловушками, а в сильных электрических полях происходит ионизация этих ловушек.
  1. Ю.С. Рябинкин. ФТТ, 6, 10, 2989 (1964)
  2. М.А. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
  3. A. Rizzo, G.Micocci, A. Tepore. J. Appl. Phys., 48, 3415 (1977)
  4. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. \it Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  5. К. Као, В. Хуанг. \it Перенос электронов в твердых телах (М., Мир, 1988)
  6. В.Б. Квасков. \it Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью (М., 1988)
  7. C. Manfredotti, C. Deblosi, S. Galossini, G. Micocci, L. Rucciero, A. Tepore. Phys. St. Sol. (a), 36, 569 (1976)
  8. S. Nespurek, J. Sworakowski. Phys. St. Sol. (a). 41, 619 (1977)
  9. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников, А.Ю. Тхорин, Е.П. Щульда. УФЖ, 3, 21 (1977)
  10. В.В. Дянкин, А.Н. Зюганов, А.С. Смертенко, И.С. Хилимова. В сб.: \it Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1987) вып. 11
  11. Г.М. Нифтиев, О.Б. Тагиев, Э.З. Зейналов, Б.Д. Алиев. ФТП, 25, 704 (1991)
  12. R. Rimet, R. Buder, C. Schlenber, R. Rognes, J.U. Zanchetta. Sol. St. Commun., 37, 693 (1981)
  13. Н.И. Глушенко, А.Н. Зюганов, Е.П. Скидан, П.В. Чигаркова. Изв. вузов СССР. Физика, вып. 2 (1981)
  14. А.Н. Зюганов, А.М. Иванов, С.В. Свечников. Электрон. моделирование, 12, 6 (1990)
  15. Y.I. Frenkel. Phys. Rev., 54, 657 (1938)
  16. R.M. Hill. Phil. Mag., 23, 59 (1971)
  17. O.B. Tagiev, G.A. Kasimova. Phys. St. Sol. (a), 128, 167 (1991)
  18. Н.Г. Волков, В.К. Ляпидевский. ФТТ, 14, 1337 (1972)
  19. А.И. Губанов. ЖТФ, 24, 308 (1954)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.