Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS : Cu

Заманова Э.Н.¹, Джафаров М.А.¹

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 6 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

PDF версия

Методом термодиффузии Cu в монокристаллы CdS получены высокоомные фоточувствительные образцы (с удельным сопротивлением 10¹¹/10¹² Ом·см в темноте и 10⁴·10⁵ Ом·см при освещенности 300 лк). Проведено исследование фотоэлектрических свойств, связанных с протеканием фотохимической реакции.

G.B. Abdullaev, Z.A. Aliyarova, E.N. Zamanova, G.A. Asadov. Phys. St. Sol., 26, 65 (1968)
Г.Б. Абдуллаев, З.А. Алиярова, Э.Н. Заманова. УФН, 99, вып. 3 (1969)
А.Г. Абдуллаев, Э.Н. Заманова, С.О. Искандеров, С.М. Багирова. В сб.: \it VI Всесоюзная конференция по химии, физике и техническому применению халькогенидов (Тбилиси, 1983)
Э.Н. Заманова, С.М. Багирова. В сб.: \it Всесоюзный семинар "Приборы с отрицательным сопротивлением" (М., 1985)
Т.Д. Джафаров. \it Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках (М.. Энергоатомиздат, 1984)
\it Физика соединений A^IIB^VI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
Х.Т. Акрамов, Г.Я. Умаров, Т.М. Разыков. Гелиотехника, 11, вып. 5--6, 74 (1975)
Г.Я. Умаров, Х.Т. Акрамов, Т.М. Разыков, А.Г. Тешабаев. Гелиотехника, 13, вып. 3, 15 (1977)
М.М. Колтун. Оптика и метрология солнечных элементов (М., Наука, 1985)
Б. Ембергенов, Н.Е. Корсунская, И.Я. Маркевич. УФЖ, 29, 734 (1984)
А. Милнс. \it Примеси с глубокими уровнями с полупроводниках (М., Мир, 1977)
В.П. Заячкивский, П.П. Бейсюк, Е.С. Никонюк, А.В. Савицкий. Изв. вузов СССР. Физика, вып. 7, 111, (1976)
В.П. Сорока. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18, 38 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель