Вышедшие номера
Стабилизация донорного действия галлия в сплавах Pb1- xSn xTe, облученных электронами
Скипетров Е.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Исследовано влияние облучения быстрыми электронами (T~ 300 K, E=6 МэВ, Phi=< 8.1· 1017 см-2) и последующего гидростатического сжатия (P=< 16 Кбар) на электрофизические свойства сплавов Pb1-xSnxTe (x=0.19, 0.23), легированных галлием. Установлено, что облучение быстрыми электронами приводит к практически линейному изменению концентрации носителей заряда, связанному, по-видимому, с генерацией при облучении квазилокальных уровней донорного типа в зоне проводимости сплавов. С ростом потока облучения происходит постепенное исчезновение эффекта разрушения донорного действия галлия под давлением и стабилизация донорного действия галлия. Полученные результаты объясняются в рамках модели, предполагающей возникновение при облучении донорного радиационного уровня Ed в зоне проводимости и изменение плотности квазилокальных уровней галлия E Ga, связанное с переходами атомов галлия между нейтральными и электрически активными состояниями под действием электронного облучения и давления.