Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки, полученных термическим напылением полупрозрачных слоев Ni на низкоомные монокристаллические подложки ZnSe. Установлено, что параметры и характерстики изготовленных диодных структур отвечают ''идеальным'' контактам металл-полупроводник. Экспериментальные зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от уровня возбуждения и параметров диода адекватно описываются в рамках теории надбарьерного механизма переноса носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.