Фотоэлектрические свойства контактов Ni--ZnSe
Махний В.П.1, Мельник В.В.1
1Черновицкий государственный университет,, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 8 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки, полученных термическим напылением полупрозрачных слоев Ni на низкоомные монокристаллические подложки ZnSe. Установлено, что параметры и характерстики изготовленных диодных структур отвечают ''идеальным'' контактам металл--полупроводник. Экспериментальные зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от уровня возбуждения и параметров диода адекватно описываются в рамках теории надбарьерного механизма переноса носителей заряда.
- \it Полупроводниковые фотоприемники, под ред. В.И.Стафеева (М., Радио и связь, 1984)
- А.Н. Георгобиани. УФН, 113, 129 (1974)
- В.П. Махний. Автореф. докт. дис. (Черновцы, 1992)
- В.Д. Рыжиков. \it Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений A^IIB^VI (М., НИИТЭХИМ, 1989)
- С.М. ЗИ. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Радио и связь, 1989), т. 2, с. 340
- Э.Х. Родерик. \it Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук