"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Светоуправляемые электрические поля в высокоомной МДПДМ структуре с туннельно-прозрачным диэлектриком
Резников Б.И.1, Царенков Г.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Теоретически исследовано влияние барьера Шоттки varphistyleBn, сечений захвата носителей на примесный уровень и концентрации глубокой примеси на фотоэффект в сильно смещенной высокоомной симметричной МДПДМ структуре с туннельно-прозрачным диэлектриком при освещении ее со стороны анода монохроматическим собственным светом. Решались полная система уравнений непрерывности в диффузионно-дрейфовом приближении при наличии эмиссии носителей через границы полупроводника и уравнение Пуассона. Результаты приведены для структуры на основе CdTe с одиночным примесным уровнем. Показана возможность качественно новых типов распределения электрического поля в катодной части толщи полупроводника. При достаточно большой концентрации примеси (Nt~= 1013 см-3) и достаточно большом отношении сечений захвата носителей (sigman/sigmap~= 103) электрическое поле в катодной области сильно зависит от varphistyleBn. При varphistyleBn>varphicr (evarphicr=Eg-kTln(Nv/p*), p* --- равновесная концентрация дырок в нейтральном объеме ) поле E(x) в толще монотонно возрастает, имеет точку перегиба и положительную кривизну (d2E/dx2>0) в катодной области. В противоположном случае (varphistyleBn<varphicr) поле достигает максимума внутри толщи и убывает к катоду. Характерное расстояние, на котором изменяется поле, --- дрейфовая длина электронов. Величина поля на темновом контакте растет с увеличением varphistyleBn, sigman/sigmap и Nt. Такой характер распределения поля определяется чувствительностью степени заполнения примесных уровней и объемного заряда примеси к величине электронной концентрации. Последняя изменяется в катодной толще благодаря тепловой генерации электронов с уровня примеси (varphistyleBn>varphicr) или рекомбинации через этот уровень (varphistyleBn<varphicr).
  1. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
  2. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 867 (1994)
  3. Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 1788 (1994)
  4. П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖТФ, 19, 49 (1993)
  5. С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир 1984) Т. 1, с. 304
  6. T. Takebe, J. Sarai, H. Matsunami. J. Appl. Phys., 53, 457 (1982)
  7. P. Jandl, M. Rick, J. Rosenzweig. Phys. St. Sol. (a), 121, 219 (1990)
  8. D. Verity, F.J. Bryant, C.G. Scott, D. Shaw. J. Cryst. Growth, 59, 234 (1982)
  9. П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.