"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, выращенных на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Фалеев Н.Н.1, Цапульников А.Ф.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Исследовано влияние температуры роста на подвижность электронов в транзисторных структурах InAlAs/InGaAs, согласованных по параметру решетки с подложками InP. Структуры выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии без изменения условий осаждения в процессе роста. Было обнаружено, что оптимальная температура роста, соответствующая наибольшей подвижности, измеренной при комнатной температуре, заметно превышает температуру 500 oC, традиционно используемую для этих материалов, и составляет приблизительно 540 oC. Увеличение подвижности с повышением температуры осаждения связано с улучшением качества InAlAs, тогда как сегрегация In во время роста InGaAs не оказывает заметного влияния на тенденцию в изменении подвижности. Точка, соответствующая максимальной подвижности, хорошо согласуется с температурой начала интенсивной десорбции In во время роста InGaAs. Поэтому снижение подвижности при дальнейшем увеличении температуры роста, вероятно, обусловлено уменьшением содержания In в канале. Полученые результаты показывают, что оптимизация температуры роста позволяет достичь высоких подвижностей (вплоть до 9800 см2/В· с при концентрации двумерных электронов 2.9·1012 см-2) в приборных структурах без изменений условий осаждения в процессе выращивания.
  1. L.D. Nguyen, A.S. Brown, M.A.Thompson, L.M.Jelloian. Microwave J., 96 (June, 1993)
  2. C.E.C. Wood, In: GaInAsP \it alloy semiconductors, ed. by T.P. Pearsall (Wiley, N.Y., 1982) Chap. 4, p. 87
  3. E. Tournie, Y.-H. Zhang, N.J. Pulsford, K. Ploog. J. Appl. Phys., 70, 7362 (1991)
  4. F.-Y. Juang, W.-P. Hong, P.R. Berger, P.K. Bhattacharya, V. Das, J. Bingh. J. Cryst. Growth, 81, 373 (1987)
  5. S.T. Chou, K.Y. Cheng. Appl. Phys. Lett., 63, 2815 (1993)
  6. A.S. Brown, V.K. Mishra, J.A. Henige, M.J. Delaney. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 678 (1987)
  7. J.E. Oh, P.K. Bhattacharya, Y.C. Chen, O. Aina, M. Mattingly. J. Electron. Mater., 19, 435 (1990)
  8. M. McElhinney, C.R. Stanley. Electron. Lett., 29, 1302 (1993)
  9. R. Houdre, F. Gueissaz, M. Gailhanou, J.-D. Ganiere, A. Rudra, M. Ilegems. Proc. \it 6th Int. Conf. on MBE, aug. 27-31, 1990 (San Diego, CA), paper РП-11

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.