"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Самовыключение тока ударной ионизации в p-- n-переходе
Добровольский В.Н.1, Романов А.В.1, Грязнов С.Б.1
1Киевский университет,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 25 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1995 г.

Исследован эффект резкого уменьшения тока ударной ионизации в p-n-переходе в условиях, близких к лавинному пробою. Показано, что обнаруженный эффект обусловлен неоднородным продольным разогревом области пространственного заряда p-n-перехода.
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. \it Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., 1980)
  2. В.Н. Добровольский, А.В. Романов. ФТП, 26, 1361 (1992)
  3. В.Н. Добровольский, С.Б. Грязнов. ФТП, 26, 1366 (1992)
  4. В.Н. Добровольский, И.Е. Пальцев. ФТП, 28, 266 (1994)
  5. С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1994) ч. 1
  6. Э.С. Грибников. ФТП, 11, 2111 (1977)
  7. Р.В. Конакова, П. Кордаш, Ю.А. Тхорик, В.И. Файнберг, Ф. Штофаник. \it Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов (Киев, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.