"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле
Боброва Е.А.1, Омельяновская Н.М.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Исследовались МОП структуры на основе кремния p- и n-типа, подвергнутые воздействию напряжения обеих полярностей величиной до 70 В. Во всех случаях наблюдалось увеличение эффективного положительного заряда на границе Si/SiO2. При этом в структурах с Si p-типа появлялось скачкообразное увеличение высокочастотной емкости в области инверсии при некотором пороговом напряжении. Увеличение емкости и пороговое напряжение определялись величиной эффективного заряда и площадью затвора структуры. Наблюдаемый эффект объяснен латеральной диффузией свободных электронов, накопленных в полупроводнике вблизи контакта затвора. После окончания воздействия напряжения на структуры происходило восстановление вольт-фарадной характеристики до состояния, близкого к исходному, за время релаксации, характерное для обратного дрейфа ионов и выброса носителей путем туннелирования с медленных ловушек вблизи границы Si/SiO2. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Rs, 85.30.De
  1. D.K. Schroder, H.C. Nathanson. Sol. St. Electron., 13, 577 (1970)
  2. А.К. Захаров, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк. В сб.: Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976) с. 47
  3. M. Knoll, D. Brauning, W.R. Fahrner. J. Appl. Phys., 53 (10), 6946 (1982)
  4. D.J. DiMaria, D. Arnold, F. Cartier. Appl. Phys. Lett., 60, 2119 (1992)
  5. В.Н. Мордкович, А.Д. Мокрушин, Н.М. Омельяновская. ФТП, 46 (6), 721 (2007)
  6. L.P. Trombetta, F.J. Feil, R.J. Zeto. J. Appl. Phys., 69, 2512 (1991)
  7. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978) гл. 1, с. 25
  8. Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 36 (7), 853 (2002)
  9. V. Lakshamanna, A.S. Vengurlekar. J. Appl. Phys., 63, 4548 (1988)
  10. Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 58, 2252 (1985)
  11. А.А. Гузев, Г.Л. Курышев, С.П. Синица. В сб.: Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976) с. 99

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.