Исследовались МОП структуры на основе кремния p- и n-типа, подвергнутые воздействию напряжения обеих полярностей величиной до 70 В. Во всех случаях наблюдалось увеличение эффективного положительного заряда на границе Si/SiO₂. При этом в структурах с Si p-типа появлялось скачкообразное увеличение высокочастотной емкости в области инверсии при некотором пороговом напряжении. Увеличение емкости и пороговое напряжение определялись величиной эффективного заряда и площадью затвора структуры. Наблюдаемый эффект объяснен латеральной диффузией свободных электронов, накопленных в полупроводнике вблизи контакта затвора. После окончания воздействия напряжения на структуры происходило восстановление вольт-фарадной характеристики до состояния, близкого к исходному, за время релаксации, характерное для обратного дрейфа ионов и выброса носителей путем туннелирования с медленных ловушек вблизи границы Si/SiO₂. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Rs, 85.30.De

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.