Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 7 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
Исследовались МОП структуры на основе кремния p- и n-типа, подвергнутые воздействию напряжения обеих полярностей величиной до 70 В. Во всех случаях наблюдалось увеличение эффективного положительного заряда на границе Si/SiO2. При этом в структурах с Si p-типа появлялось скачкообразное увеличение высокочастотной емкости в области инверсии при некотором пороговом напряжении. Увеличение емкости и пороговое напряжение определялись величиной эффективного заряда и площадью затвора структуры. Наблюдаемый эффект объяснен латеральной диффузией свободных электронов, накопленных в полупроводнике вблизи контакта затвора. После окончания воздействия напряжения на структуры происходило восстановление вольт-фарадной характеристики до состояния, близкого к исходному, за время релаксации, характерное для обратного дрейфа ионов и выброса носителей путем туннелирования с медленных ловушек вблизи границы Si/SiO2. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Rs, 85.30.De
- D.K. Schroder, H.C. Nathanson. Sol. St. Electron., 13, 577 (1970)
- А.К. Захаров, И.Г. Неизвестный, В.Н. Овсюк. В сб.: Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976) с. 47
- M. Knoll, D. Brauning, W.R. Fahrner. J. Appl. Phys., 53 (10), 6946 (1982)
- D.J. DiMaria, D. Arnold, F. Cartier. Appl. Phys. Lett., 60, 2119 (1992)
- В.Н. Мордкович, А.Д. Мокрушин, Н.М. Омельяновская. ФТП, 46 (6), 721 (2007)
- L.P. Trombetta, F.J. Feil, R.J. Zeto. J. Appl. Phys., 69, 2512 (1991)
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978) гл. 1, с. 25
- Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 36 (7), 853 (2002)
- V. Lakshamanna, A.S. Vengurlekar. J. Appl. Phys., 63, 4548 (1988)
- Y. Nissan-Cohen, J. Shappir, D. Frohman-Bentchkowsky. J. Appl. Phys., 58, 2252 (1985)
- А.А. Гузев, Г.Л. Курышев, С.П. Синица. В сб.: Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976) с. 99
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
