Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN при высокой плотности тока

Бочкарева Н.И.¹, Горбунов Р.И.¹, Клочков А.В.¹, Леликов Ю.С.¹, Мартынов И.А.¹, Ребане Ю.Т.¹, Белов А.С.¹, Шретер Ю.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены измерения вольт-амперных, вольт-яркостных характеристик и спектров электролюминесценции голубых светодиодов на основе InGaN/GaN с целью выяснения природы падения эффективности при высоких плотностях тока и высоких температурах. Обнаружено, что линейное увеличение интенсивности излучения при увеличении тока инжекции сменяется сублинейным, приводя к падению эффективности по мере того как наблюдаемая энергия фотона удаляется от порога подвижности. Интенсивность излучения уменьшается при увеличении температуры, когда наблюдаемая энергия фотона приближается к порогу подвижности, приводя к падению эффективности при перегреве. Максимум спектра электролюминесценции сдвигается к меньшим энергиям фотона при увеличении температуры из-за сужения запрещенной зоны. Результаты объясняются с учетом того, что заполнение хвостов плотности состояний в InGaN происходит не только в результате захвата свободных носителей заряда, но и в результате туннельного перехода в состояния хвоста. Падение эффективности при высоких токах связывается с уменьшением туннельной инжекции и увеличением утечки через безызлучательный канал "под" квантовой ямой. PACS: 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.55.Cr, 78.60.Fi, 78.67.De, 85.60.Jb

Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes, ed by S. Nakamura, S.F. Chichibu (London--N.Y., Taylor \& Francis, 2000)
T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
P.G. Eliseev, M. Osin'ski, H. Li, I.V. Akimova. Appl. Phys. Lett., 75, 3838 (1999)
M.F. Schubert, S. Chhajed, J.K. Kim, E.F. Schubert, D.D. Koleske, M.H. Crawford, S.R. Lee, A.J. Fischer. Appl. Phys. Lett., 91, 231 114 (2007)
Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 141 101 (2007)
M.H. Kim, M.F. Schubert, Q. Dai, J.K. Kim, E.F. Schubert, J. Piprek, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 91, 183 507 (2007)
Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 627 (2005)
Н.И. Бочкарева, Д.В. Тархин, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.С. Леликов, И.А. Мартынов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 41, 88 (2007)
B. Zhang, T. Egawa, H. Ishikawa, Y. Liu, T. Jimbo. J. Appl. Phys., 95, 3170 (2004)
Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 122 (2006)
Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
H.C. Casey, Jr., J. Muth, S. Krishnankutty, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 68, 2867 (1996)
H. Morkoc. Nitride Semiconductors and Devices (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 1999)
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
S.F. Chichibu, H. Marchand, M.S. Minsky, S. Keller, P.T. Fini, J.P. Ibbetson, S.B. Fleischer, J.S. Speck, J.E. Bowers, E. Hu, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, T. Deguchi, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 74, 1460 (1999)
C. Gourdon, P. Lavallard. Phys. Status Solidi B, 153, 641 (1989)
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, S. Nakamura. Phys. Rev. B, 55, R1938 (1997)
Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 70, 981 (1997)
T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, L1358 (1999)
R.W. Martin, P.G. Middleton, E.P. O'Donnell, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74, 263 (1999)
H. Teisseyre, P. Perlin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, J. Jun, A. Pietraszko, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 76, 2429 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель