"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In--n-GaN от концентрации основных носителей заряда
Бессолов В.Н.1, Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Константинов О.В.1, Поссе Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

На основании исследования температурной зависимости сопротивления сплавных омических контактов In--n-GaN обнаружено, что механизм протекания тока в них существенно зависит от концентрации N нескомпенсированных доноров в GaN: при N=5·1016-1·1018 см-3 основным является протекание тока по металлическим шунтам, а при N<= 8·1018 см-3 --- туннелирование. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
  1. E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Oxford, 1978)
  2. A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  3. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  4. J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
  5. J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
  6. Z. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 68 (12), 1672 (1996)
  7. C. Lu, H. Chen, X. Lv, X. Xie, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
  8. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
  9. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.