Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 11 » Статья стр. 1333
<<<>>>
Статические вольт-амперные характеристики туннельных МДП структур Au/CaF2/n-Si(111)
Сутурин С.М.1, Банщиков А.Г.1, Соколов Н.С.1, Тягинов С.Э.1, Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены структуры Au/CaF2/n-Si(111), демонстрирующие меньшие токи при заданной толщине пленки фторида (1.5-2 нм), чем все аналогичные структуры, исследованные ранее. Показано, что при положительном напряжении на металле ток соответствует расчету в рамках модели с сохранением поперечной компоненты волнового вектора при туннельном переносе. Проанализированы относительные роли электронной и дырочной компонент при прямом и обратном смещении. Оценено влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика по площади на величины измеряемых токов. Полученные тонкие слои CaF2 потенциально пригодны для использования в качестве барьерных слоев в различных приборах функциональной электроники. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 68.37.Ps, 81.15.Hi
  1. Crystals with the fluorite structure: electronic, vibrational, and defect properties, ed. by W. Hayes (Clarendon Press, Oxford, 1974)
  2. N.S. Sokolov, N.L. Yakovlev, J. Almeida. Sol. St. Commun., 76 (7), 883 (1990)
  3. M. Watanabe, Y. Iketani, M. Asada. Jap. J. Appl. Phys., 39 (10A), pt 2, L964 (2000)
  4. A.Yu. Khilko, S.V. Gastev, R.N. Kyutt, M.V. Zamoryanskaya, N.S. Sokolov. Appl. Surf. Sci., 123--124, 595 (1998)
  5. N.S. Sokolov, I.V. Grekhov, S. Ikeda, A.K. Kaveev, A.V. Krupin, K. Saiki, K. Tsutsui, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler. Microelectron. Eng., 84 (9--10) (Proc. INFOS'07, Glyfada, Greece), 2247 (2007)
  6. D. Guo, T. Miyadera, S. Ikeda, T. Shimada, K. Saiki. J. Appl. Phys., 102, 023 706 (2007)
  7. A. Schenk, G. Heiser. J. Appl. Phys., 81 (12), 7900 (1997)
  8. Ph. Avoris, R. Wolkow. Appl. Phys. Lett., 55 (11), 1074 (1989)
  9. A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133 (4), 666 (1986)
  10. Х.К. Альварес, М.И. Векслер, И.В. Грехов, Н.С. Соколов, А.Ф. Шулекин. ФТП, 30 (7), 1328 (1996)
  11. S. Watanabe, M. Maeda, T. Sugisaki, K. Tsutsui. Jap. J. Appl. Phys., 44 (4B), 2637 (2005)
  12. B. Zhang, K. Furuya, Y. Ikeda, N. Kikegawa. Jap. J. Appl. Phys., 38 (8), pt 1, 4887 (1999)
  13. M.I. Vexler. Sol. St. Electron., 47 (8), 1283 (2003)
  14. C. Strahberger, P. Vogl. Phys. Rev. B, 62 (11), 7289 (2000)
  15. A. Schenk. Advanced physical models for Silicon device simulations (Springer, Wien--N.Y., 1998) Ch. 5, p. 288
  16. N.S. Sokolov, A.K. Kaveev, A.V. Krupin, S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, S. Ikeda, K. Tsutsui, K. Saiki. Appl. Phys. Lett., 90, 142 909 (2007)
  17. S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Sol. St. Electron., 49 (7), 1192 (2005)
  18. S.K. Lai, P.V. Dressendorfer, T.P. Ma, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 38 (1), 41 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme