Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства и структура стекол (As₂Se₃)_1-z (SnSe₂)_z-x(Tl₂Se)_x и (As₂Se₃)_1-z(SnSe)_z-x(Tl₂ Se)_x

Бордовский Г.А.¹, Марченко А.В.¹, Теруков Е.И.², Серегин П.П.¹, Лиходеева Т.В.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

Herzen State Pedagogical University of Russia, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В структуре стекол (As₂Se₃)_1-z (SnSe₂)_z-x(Tl₂Se)_x и (As₂Se₃)_1-z(SnSe)_z-x(Tl₂ Se)_x олово стабилизируется в двух- и четырехвалентном состояниях. Присутствие в структурной сетке стекла двухвалентного олова не приводит к появлению примесной проводимости. Зависимости плотности, микротвердости и температуры стеклования от состава стекол объясняются в рамках модели, согласно которой структура стекол построена из структурных единиц, отвечающих соединениям As₂Se₃, AsSe, TlAsSe₂, Tl₂Se, SnSe и SnSe₂. PACS: 61.43.Fs, 76.80.+y

А.Р. Кастро. Примесные U^--центры как инструмент исследования халькогенидных стеклообразных полупроводников (Изд-во РГПУ им. А.И. Герцена, 2006)
Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро, П.П. Серегин, А.А. Добродуб. Физика и химия стекла, 32 (3), 438 (2006)
З.У. Борисова. Халькогенидные стеклообразные полупроводники (Изд-во ЛГУ, 1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель