Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе слоистых полупроводников InSe и GaSe при облучении электронами с энергией 12.5 МэВ
Ковалюк З.Д.1, Политанская О.А.1, Сидор О.Н.1, Маслюк В.Т.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
2Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина
2Институт электронной физики НАН Украины, Ужгород, Украина
Поступила в редакцию: 21 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
Исследовано влияние высокоэнергетических электронов (E=12.5 МэВ) на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей p-n-InSe и p-GaSe-n-InSe. Обнаруженные изменения вольт-амперных характеристик, спектров фотоотклика, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания структур обусловлены образованием точечных дефектов. Отсутствие особых изменений характеристик исследуемых гомо- и гетеропереходов даже при максимальной дозе облучения позволяет рекомендовать их для создания радиационно стойких фотодетекторов. PACS: 61.80.Fe, 61.82.Fk, 72.20.Jv, 72.40.+w, 73.40.Lq
- Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, A.I. Savchuk, O.M. Sydor. Mater. Sci. Eng. B, 109, 252 (2004)
- В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. ФТП, 25 (5), 954 (1991)
- В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко. ФТП, 14 (6), 1115 (1980)
- А.П. Бахтинов, З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор, В.Н. Катеринчук, О.С. Литвин. ФТТ, 49 (8), 1497 (2007)
- К.А. Аскеров. Fizika, 2 (2), 36 (1996)
- Р.С. Малахов, А.З. Аббасова, Т.Б. Тагиев, Ш.П. Шекили. В сб.: Международная конференция "FIZIKA-2005" (Баку, ЕЛМ, 2005) с. 373
- Г.Б. Абдулаев, А.З. Абасова, К.А. Аскеров, Ф.А. Заитов, Э.Ю. Салаев, В.И. Стафеев. Неорг. матер., 19 (4), 679 (1983)
- Г.Б. Абдуллаев, А.З. Абасова, А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, В.И. Стафеев, Э.Ю. Салаев, Г.М. Шаляпина. ФТП, 14 (4), 799 (1980)
- Р.Ю. Алиев, Д.И. Караев, К.А. Аскеров. Fizika, 2 (3), 32 (1996)
- В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11 (10), 2000 (1977)
- Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Письма ЖЭТФ, 47 (10), 498 (1988)
- В.А. Манассон, А.И. Малик, В.Б. Баранюк. Письма ЖТФ, 7 (9), 549 (1981)
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969)
- А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева, Р.М. Рзаев, Г.А. Гасанов. Неорг. матер., 40 (6), 660 (2004)
- З.Д. Ковалюк, П.Г. Литовченко, О.А. Политанская, О.Н. Сидор, В.Н. Катеринчук, В.Ф. Ластовецкий, О.П. Литовченко, В.К. Дубовой, Л.А. Поливцев. ФТП, 41 (5), 570 (2007)
- Р. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- Б.Г. Тагиев, В.А. Гаджиев, С.Г. Абдуллаева, Г.М. Мамедов. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-техн. и мат. наук, 3, 58 (1973)
- А.Ш. Абдинов, А.Г. Кязым-заде, Н.М. Мехтиев, М.Д. Хомутова, А.Г. Шарипов. ФТП, 10 (1), 76 (1976)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
- В.С. Вавилов, Н.П. Кекелидзе, Л.С. Смирнов. Действие излучений на полупроводники (М., Наука, 1988)
- O.Z. Alekperov, M.O. Godjaev, M.Z. Zarbaliev, R.A. Suleimanov. Sol. St. Commun., 77, 65 (1991)
- O.Z. Alekperov, A.I. Nadjafov. Fizika, 10 (1, 2), 77 (2004)
- А.И. Малик, В.Б. Баранюк. ФТП, 14 (3), 409 (1980)
- B. Abay, H.S. Guder, H. Efeoglu, Y.K. Yogurtcu. J. Phys. D: Appl. Phys., 32 (22), 2942 (1999)
- B. Gurbulak. Sol. St. Commun., 109, 665 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
