"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный парамагнитный резонанс взаимодействующих спинов в n-Ge II. Изменение ширины и формы линий
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Тиснек Т.В.1, Голощапов С.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

Исследовано влияние взаимодействия спинов на ширину и форму линии электронного парамагнитного резонанса в компенсированном и некомпенсированном n-Ge : As. При ориентации магнитного поля вдоль оси [100] независимо от степени компенсации ширина резонансной линии уменьшается с приближением к критической концентрации для фазового перехода изолятор--металл в результате усиления обменного взаимодействия спинов и увеличения времени спиновой релаксации. Когда магнитное поле направлено вдоль других осей, в компенсированных образцах возникает добавочное уширение линии, которое определяется влиянием на g-фактор флуктуаций внутреннего электростатического поля через вызванные ими напряжения. Для хорошо проводящих образцов, когда толщина скин-слоя становится меньше толщины образца, линия приобретает несимметричную (дайсоновскую) форму. При этом характерное для такой формы линии отношение крыльев производной определяется отношением скоростей диффузии спина и его релаксации. PACS: 71.20.Mg, 71.30.th,76.30.Da
  1. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 41, 812 (2007)
  2. K. Morigaki, S. Maekawa. J. Phys. Soc. Japan, 32, 462 (1972)
  3. D.K. Wilson. Phys. Rev., 134, A265 (1964)
  4. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Е.Н. Мохов. ФТП, 38, 816 (2004)
  5. R.W. Anderson, P.R. Weiss. Rev. Mod. Phys., 25, 269 (1953)
  6. A.G. Zabrodskii. Phil. Mag., 81, 1131 (2001)
  7. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек. ФТП, 34, 46 (2000)
  8. Дж. Людвиг, Г. Вудбери. Электронный спиновой резонанс в полупроводниках (М., 1964)
  9. F.J. Dyson. Phys. Rev., 98, 349 (1955)
  10. G. Feher, A.F. Kip. Phys. Rev., 98, 337 (1955)
  11. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.