Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модель термического окисления кремния на фронте объемной реакции

Александров О.В.¹, Дусь А.И.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 14 января 2008 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.

PDF версия

Разработана модель термического окисления кремния, в которой взаимодействие с окислителем происходит на фронте объемной реакции. Ширина реакционной зоны соответствует ширине переходного слоя с нарушенной стехиометрией (delta~7.5 Angstrem). Учитывается релаксация коэффициента диффузии окислителя от значения в напряженном диоксиде кремния до значения в ненапряженном диоксиде кремния, равного коэффициенту диффузии в плавленом кварце. Релаксация связывается со структурной перестройкой аморфного диоксида кремния при удалении от границы реакционной зоны. Модель хорошо описывает кинетику термического окисления кремния в сухом кислороде в широком диапазоне толщин диоксида кремния, включая начальный этап. PACS: 81.65.Mq, 82.20.Nk, 82.33.Pt

R.L. Opila, D.W. Hess. J. Electrochem. Soc., 150, S1 (2003)
B.E. Deal, A.S. Grove. J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)
B.E. Deal. J. Electrochem. Soc., 125, 576 (1978)
N.F. Mott, S. Rigo, F. Rochet, A.M. Stoneham. Phil. Mag. B, 60, 189 (1989)
I.J.R. Boumvol. Surf. Sci. Rep., 36, 1 (1999)
Н.А. Колобов. В кн.: Математическое моделирование процессов тепло и массопереноса (М., Наука, 1987) с. 280
Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний--диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003)
H.Z. Massoud, J.D. Plummer, E.A. Irene. J. Electrochem. Soc., 132, 2685, 2693 (1985)
H.Z. Massoud, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 62, 3416 (1987)
C.-J. Han, C.R. Helms. J. Electrochem. Soc., 134, 1297 (1987)
H. Wong, Y.C. Cheng. J. Appl. Phys., 64, 893 (1988)
E.A. Irene. J. Appl. Phys., 54, 5416 (1983); A.G. Revesz, B.J. Mrstik, H.L. Hughes, D. McCarthy. J. Electrochem. Soc., 133, 587 (1986)
S.A. Schafer, S.A. Lion. Appl. Phys. Lett., 47, 154 (1985)
R.B. Beck, B. Majkusiak. Phys. Status Solidi A, 116, 313 (1989)
В.А. Арсламбеков, А. Сафаров. Микроэлектроника, 6, 75 (1977)
A. Fargeix, G. Ghibaudo, G. Kamarinos. J. Appl. Phys., 54, 2878 (1983)
В.И. Соколов, Н.А. Федорович, В.А. Шеленшкевич. ФТТ, 18, 1794 (1976)
E.P. Eernisse. Appl. Phys. Lett., 38, 8 (1979)
A. Fargeix, G. Ghibaudo. J. Appl. Phys., 56, 589 (1984)
W.A. Tiller. J. Electrochem. Soc., 130, 501 (1983)
K.T. Queeney, M.K. Weldon, J.P. Chang, Y.J. Chabal, A.B. Gurevich, J. Sapjeta, R.L. Opila. J. Appl. Phys., 87, 1322 (2000)
K. Kimura, K. Nakajima. Appl. Surf. Sci., 216, 283 (2003)
A.R. Chowdhuri, D.-U. Jim, C.G. Takoudis. Thin Sol. Films, 457, 402 (2004)
H. Larralde, M. Araujo, S. Havlin, H.E. Stanley. Phys. Rev. A, 46, 855 (1992)
Г.В. Гадияк. Микроэлектроника, 27, 288 (1998)
R.M.C. de Almeida, S. Goncalves, I.J.R. Baumvol, F.C. Stedile. Phys. Rev. B, 61, 12 992 (2000)
C. Krzeminski, G. Larrieu, J. Penaud, E. Lampin, E. Dubois. J. Appl. Phys., 101, 064 908 (2007)
F.J. Norton. Nature, 191, 701 (1961)
K. Kajihara, M. Hirano, M. Uramoto, Y. Morimoto, L. Skuja, H. Hosono. J. Appl. Phys., 98, 013 527 (2005)
M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett., 42, 73 (1983)
E. Kobeda, E.A. Irene. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 574 (1988)
E.A. Irene, E. Tierney, J. Angilello. J. Electrochem. Soc., 129, 2594 (1982)
T.R. Waite. Phys. Rev., 107, 463 (1957)
E.A. Irene, Y.J. van der Meulen. J. Electrochem. Soc., 123, 1380 (1976)
S. Kamohara, Y. Kamigaki. J. Appl. Phys., 69, 7871 (1991)
M.L. Green, E.P. Gusev, R. Degraeve, E.L. Garfunkel. J. Appl. Phys., 90, 2057 (2001)
A. Bongiorno, A. Pasquarello. Phys. Rev. B, 70, 195 312 (2004)
W. Hartman, G. Franz. Appl. Phys. Lett., 37, 1004 (1981)
Y. Nishino, T. Imura. Phys. Status Solidi A, 74, 193 (1982)
L.M. Landsberger, W.A. Tiller. Appl. Phys. Lett., 51, 1416 (1987)
Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев, И.В. Матюшкин. ФТП, 37, 44 (2003)
T. Watanabe, K. Tatsumura, I. Ohdomari. Phys. Rev. Lett., 96, 196 102 (2006)
K. Taniguchi, M. Tanaka, C. Hamaguchi. J. Appl. Phys., 67, 2195 (1990)
B.J. Mrstik, P.J. McMarr. Phys. Rev. B, 48, 17 972 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель