Экспериментально изучены световые и темновые вольт-амперные характеристики p-i-n-структур на аморфном кремнии (alpha-Si : H) с малыми диффузионными длинами дырок (меньше толщины i-слоя p-i-n-структуры). Показано, что прямые ветви темновых вольт-амперных характеристик таких структур могут быть описаны присущей диодам инжекционной зависимостью с фактором неидеальности диода, в 2-3 раза превышающим максимальное значение 2, предсказываемое теорией для генерационно-рекомбинационных токов в p-n-переходе. Темновой ток всегда оказывается много меньше фототока ячейки при смещении порядка напряжения холостого хода фотоячейки. Темновые токи не могут участвовать в формировании световой вольт-амперной характеристики. Спад фототока с увеличением фотонапряжения при смещении, меньшем напряжения холостого хода, определяется не темновой инжекцией, а снижением коэффициента собирания и возрастающей ролью обратной диффузии электронов в p-контакт. В случае смещения выше напряжения холостого хода обратная диффузия становится доминирующей компонентой тока. PACS: 61.43.Dq, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 84.60.Jt

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.