Электропроводность изолирующего слоя на поверхности полупроводника, обусловленная электронно-ионным взаимодействием у межфазной границы
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Рассмотрены явления образования нейтральных электронно-ионных ассоциатов у границы раздела полупроводник-диэлектрик, а также их диффузии и распада в объеме диэлектрика. Возникающий после распада ассоциата ион под действием электрического поля в зависимости от его направления либо возвращается к границе раздела, либо уходит к противоположному электроду. В первом случае в слое толщиной порядка длины диффузии электронно-ионных ассоциатов возникает своеобразный кругооборот ионов у поверхности полупроводника, проявляющийся в виде стационарного слабо зависящего от электрического поля тока через диэлектрик. Во втором случае к переходному ионному току добавляется не зависящая от величины электрического поля компонента, связанная с диффузией и с распадом ассоциатов. Предсказанные эффекты обнаружены в изолирующих слоях кремниевых МОП структур.
- A. Hartstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73, 19 (1978)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 75, 191 (1978); ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metall Oxide Semiconductor) Physics and Technology (N. Y., 1982)
- Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
- В.Д. Добровольский, В.Г. Литовченко. Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1985)
- J.F. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Progr. Phys., 53, 1297 (1990)
- В.А. Гергель, Г.В. Шпатковская. ЖЭТФ, 102, 640 (1992)
- E. Atanassova, A. Paskaleva. Sol. St. Electron., 39, 1033 (1996)
- T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
- D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52, 7251 (1981)
- N.J. Chou. J. Electrochem. Soc., 118, 601 (1971)
- В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, В.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO2--M (Новосибирск, Наука, 1981)
- E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- R.J. Kriegler, T.F. Devenyi. Thin Sol. Films, 36, 435 (1976)
- S.R. Hofstein. Appl. Phys. Lett., 10, 291 (1967)
- I. Lundstrom, C. Svensson. J. Appl. Phys., 43, 5045 (1972)
- M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc., 118, 966 (1971)
- П. Нагельс. В сб.: Аморфные полупроводники (М., Мир, 1982)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
- H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 1255 (1975)
- И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
