Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лавинные светодиодные структуры на основе монокристаллического Si : Ho : O, работающие при комнатной температуре
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 13 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Впервые наблюдaлась электролюминесценция ионов Ho3+ при комнатной температуре в диодных структурах на основе монокристаллического кремния, легированного гольмием и кислородом. Для режима лавинного пробоя определено произведение времени жизни первого возбужденного состояния ионов Ho3+ на эффективное сечение их возбуждения.
- Б.А. Андреев, Н.А. Соболев, Д.И. Курицын, М.И. Маковийчук, Ю.А. Николаев, Е.О. Паршин. ФТП, 33, 420 (1999)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Р.Н. Кютт, Ю.А. Николаев, Е.И. Шек, О.В. Александров, А.О. Захарьин, В.И. Вдовин, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин, А.Н. Якименко. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Нижний Новгород, 1999) с. 71
- F.G. Chynoweth, K.G. McKay. Phys. Rev., 102, 369 (1956)
- G. Franzo, S. Goffa, F. Priolo. J. Appl. Phys., 81, 2784 (1997)
- N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov. J. Luminesc., 80, 315 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
