"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Вилисова М.Д.1, Ивонин И.В.1, Лаврентьева Л.Г.1, Субач С.В.1, Якубеня М.П.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2, Берт Н.А.3, Мусихин Ю.Г.3, Чалдышев В.В.3
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Проведены исследования слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках InP (100) при температурах 150-480oC и различных потоках мышьяка. Показано, что понижение температуры эпитаксии приводит к изменениям поверхности роста, захвату избыточного мышьяка и увеличению параметра решетки эпитаксиальной пленки. Отжиг образцов, выращенных при низкой температуре (LT), приводит к релаксации параметра решетки и формированию в матрице InGaAs кластеров мышьяка. Для образцов, выращенных при 150oC и отожженных при 500oC, концентрация кластеров составляет ~8·1016 см-3, а их средний размер ~5 нм. В предположении, что избыточный мышьяк преимущественно захватывается в форме антиструктурных дефектов, из величины релаксации параметра решетки LT InGaAs при отжиге определена концентрация избыточного мышьяка (NAs-NGa-NIn)/ (NAs+NGa+NIn)=0.4 ат%. Слои InGaAs, выращенные при 150oC, характеризуются высокой концентрацией свободных электронов (~1·1018 см-3). Отжиг таких слоев при 500oC приводит к уменьшению концентрации электронов до ~1·1017 см-3. Установлено, что изменение концентрации свободных электронов качественно коррелирует с изменением концентрации избыточного мышьяка в слоях.
  1. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright. F.W. Smith, B.-J. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
  2. Kin Man Ju, M. Kaminska, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 72, 2850 (1992)
  3. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  4. Y.J. Chin, S.B. Fleischer, D. Lasaosa, J. Bowers. Appl. Phys. Lett., 71, 2508 (1997)
  5. R.A. Metzger, A.S. Brown, W.E. Stanchina, M. Liu, R.G. Wilson, T.V. Kargodorian, L.G. McCray, J.A. Henige. J. Cryst. Growth, 111, 445 (1991)
  6. H. Kunzel, J. Bottcher, R. Gibis, G. Urmann. Appl. Phys. Lett., 61, 1347 (1992)
  7. R.A. Metzger, A.S. Brown, L.G. McCray, J.A. Henige. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 798 (1993)
  8. N.D. Zakharov, Z. Liliental-Weber, W. Sweder, A.S. Brown, R.A. Metzger. Appl. Phys. Lett., 63, 2809 (1993)
  9. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  10. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)
  11. J. Betko, M. Morvic, J. Novak, A. Forster, P. Kordos. Appl. Phys. Lett., 69, 2563 (1996)
  12. X. Liu, A. Prasad, W.M. Chen, A. Kurpiewski, A. Stoschek, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 65, 3002 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.