Метдом DLTS исследовано влияние температуры и фотовозбуждения p-Si in situ при имплантации малых доз ионов на формирование комплексов радиационных дефектов. Образцы p-Si облучались ускоренными до 150 кэВ ионами Ar⁺ дозой 7·10¹⁰ см^-2 при температуре 300 и 600 K. Фотовозбуждение p-Si проводилось ультрафиолетовым излучением. Показано, что нерадиационный нагрев имплантируемых ионами образцов приводит к увеличению общей концентрации комплексов дефектов при одноврeменном изменении типа доминирующего комплекса, а ультрафиолетовая подсветка полупроводника подавляет дефектообразование. Обнаружено, что эффективность воздействия фотовозбуждения in situ на образование комплексов радиационных дефектов существенно уменьшается с ростом температуры мишени. Установлена немонотонная зависимость концентрации вторичных дефектов от интенсивности подсветки p-Si при внедрении ускоренных ионов. Проведен сравнительный анализ результатов, полученных для p-Si, с уже известными данными для n-Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.