Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование двумерных наноостровков при осаждении сверхтонких слоев InSb на поверхность GaSb
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный университет (Институт физики), Петродворец, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет (Институт физики), Петродворец, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Показано, что при выращивании сверхтонких (~1.5 монослоя) слоев InSb на поверхности GaSb(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии происходит формирование массива двумерных островков. При осаждении нескольких слоев InSb, разделенных узкими барьерами, островки следующих рядов образуются над островками первого ряда (эффект вертикальной корреляции). Формирование островков подтверждается исследованиями спектров фотолюминесценции.
- L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
- P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlat. Microstruct., 15(1), 15 (1994)
- Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N. Kobayashi. Phys. Rev. Lett., 75, 2542 (1995)
- J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
- N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Buhrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
- Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, 351 (1996)
- D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 3(2), 196 (1997)
- M. Strassburg, V. Kutzer, U.W. Pohl, A. Hoffmann, I. Broser, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 72 942 (1998)
- V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, W.H. Weinberg. Phys. Rev. B, 50 8479 (1994)
- B.V. Volovik, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, I.E. Kozin, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, M. Strassburg, A. Hoffmann, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner. Proc. ICPS24, Jerusalem, August 2--7, 1998 (World Scientific, 1998)
- A.F. Tsatsul'nikov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, A.K. Kryganovskii, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, B.Ya. Mel'tser, P.V. Nekludov, A.A. Suvorova, A.N. Titkov, B.V. Volovik, M. Grundmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. J. Electron. Mater., 27(5), 414 (1998)
- M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
- А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.С. Рувимов, В.М. Устинов, В.В. Комин, И.В. Кочнев, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 30 1797 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
