"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния обработки поверхности полупроводника на характеристики 6H-SiC диодов Шоттки
Лебедев А.А.1, Давыдов Д.В.1, Зеленин В.В.1, Корогодский М.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Емкостными методами проведено исследование диодов Шоттки, сформированных на основе эпитаксиальных слоев n-6H-SiC, выращенных методом газофазoвой эпитаксии. Обнаружено, что величина потенциального барьера и ее зависимость от величины работы выхода металла сильно зависит от используемого метода обработки поверхности полупроводника.
  1. A.L. Syrkin, A.N. Andreev, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 29, 198 (1995)
  2. A.M. Stelchuk, M.G. Rastegaeva. Mater. Sci. Eng. B, 46, 379 (1997)
  3. M. Frischholz, K. Rottner, A. Schoner, T. Dalibor, G. Pensl. Diamond and Rel. Mater., 6, 1396 (1997)
  4. А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, К.И. Игнатьев. ФТИ, 30, 1865 (1995)
  5. А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 31, 1049 (1997)
  6. J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
  7. V.V. Zelenin, A.A. Lebedev, S.M. Starobinets, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng. B, 46, 300 (1997)
  8. А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ, 21 (16), 48 (1995)
  9. A.A. Lebedev, M.P. Tregubova, A.A. Glagovskii, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Abstracts E-MRS Conf. (Strasburg, France, 1996, p. A-15)
  10. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, Chapter 3 (1994) p. 197

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.