Вышедшие номера
Фоточувствительность структур, созданных термообработкой CuInSe2 в разных средах
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Изготовлены фоточувствительные структуры путем термообработки в вакууме и в воздушной среде поликристаллических подложек p- и n-CuInSe2 при температуре в окрестности 500oC. Исследованы и анализируются спектральные зависимости фоточувствительности двух типов структур в естественном и в линейно поляризованном излучении. Фоточувствительность лучших структур достигает 16 мА/Вт при T=300 K. Обнаружены и обсуждаются закономерности поляризационной фоточувствительности таких структур в связи с условиями их получения. Сделан вывод о новой возможности применения поляризационной фотоэлектрической спектроскопии для диагностики фазовых взаимодействий в сложных полупроводниках и оптимизации технологии создания фотопреобразовательных структур.