"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Транспорт свободных ионов в слое диэлектрика и эффекты электронно-ионного обмена у межфазной границы диэлектрик--полупроводник при термостимулированной ионной деполяризации кремниевых МОП структур
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Исследуется природа токов термостимулированной деполяризации в кремниевых МОП структурах. В основе анализа - экспериментально установленная независимость энергии активации тока деполяризации в области его начального нарастания от величины деполяризующего напряжения и обнаруженное ранее явление образования у границы раздела диэлектрик-полупроводник нейтральных ассоциатов ион + электрон. Рассматриваются транспорт свободных ионов в слое диэлектрика (при этом время пролета имеет термоактивационный характер) и обменные электронно-ионные процессы у межфазной границы Si-SiO2, включающие туннельную ионизацию (распад) нейтральных ассоциатов. Коэффициенты ионного переноса в слоях SiO2, найденные по кривым термостимулированной деполяризации в рамках развитых представлений, хорошо согласуются с данными независимых экспериментов.
  1. G.S. Horner, M. Kleefstra, T.G. Miller, M.A. Peters. Sol. St. Technol., N 6, 79 (1995)
  2. Г.Я. Красников. Электрон. техн., Сер. 3, N 1, 67 (1996)
  3. M. Lee, C.H. Lin, B.H. Lei, C.D. Yang. Japan. J. Appl. Phys., 37, L53 (1998)
  4. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  5. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
  6. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, 933 (1999)
  7. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
  8. T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  9. M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  10. T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
  11. K. Yamashita, M. Iwamoto, T. Hino. J. Appl. Phys., 52, 1429 (1981)
  12. I.P. Stagg, M.R. Bodry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
  13. M.W. Hillen, D.G. Hemmes. Sol. St. Electron., 24, 773 (1981)
  14. C.Choquet, C. Plossu, M. Berenguer, B. Balland. Thin Sol. Films, 167, 45 (1988)
  15. J.F. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Prog. Phys., 53, 1297 (1990)
  16. А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
  17. В.В. Антонов-Романовский. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1966)
  18. K.H. Nickolas, J. Woods. Brit. J. Appl. Phys., 15, 783 (1964)
  19. R. Chen, Y. Kirsh. Analysis of thermally stimulated processes (N.Y., Pergamon Press, 1981)
  20. E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
  21. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  22. A. Harstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73, 19 (1978)
  23. D.J. DiMaria. J. Appl. Phys., 52, 7251 (1981)
  24. И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во МГУ, 1984)
  25. В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, П.С. Сульженко. ФТП, 22, 756 (1988)
  26. Е.И. Гольдман. ФТП, 26, 766 (1992)
  27. Е.И. Гольдман. ФТП, 31, 43 (1997)
  28. L.I. Grossweiner. J. Appl. Phys., 24, 1306 (1953)
  29. А.Г. Ждан, Н.А. Лушников. ФТП, 16, 793 (1982)
  30. А.Г. Ждан, В.Б. Сандомирский, А.Д. Ожередов, Г.Н. Яковлева. ФТП, 3, 1755 (1969)
  31. S.R. Hofstein. Appl. Phys. Lett., 10(10), 291 (1967)
  32. J.P. Stagg. Appl. Phys. Lett., 31(8), 532 (1977)
  33. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  34. В.М. Колешко, П.П. Гойденко, Л.Д. Буйко. Контроль в технологии микроэлектроники (Минск, Наука и техника, 1979)
  35. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  36. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, 222 (1966)
  37. G. Greeuw, J.F. Verwey. J. Appl. Phys., 56(8), 2218 (1984)
  38. E.H. Snow, A.S. Grove, B.E. Deal, C.T. Sah. J. Appl. Phys., 36(5), 1664 (1965)
  39. R.J. Kriegler, T.F. Devenyi. Thin Sol. Films, 36, 435 (1976)
  40. В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO2--M (Новосибирск, Наука, 1981)
  41. У.А. Плискин, Д.Р. Керр, Дж.А. Перри. В кн.: Физика тонких пленок (М., Мир, 1970) вып. 4, с. 303
  42. M. Kuch, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci., N 6, 966 (1971)
  43. M.L. Reed. Semicond. Sci. Technol., 4, 980 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.