Вышедшие номера
Транспорт свободных ионов в слое диэлектрика и эффекты электронно-ионного обмена у межфазной границы диэлектрик--полупроводник при термостимулированной ионной деполяризации кремниевых МОП структур
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Исследуется природа токов термостимулированной деполяризации в кремниевых МОП структурах. В основе анализа - экспериментально установленная независимость энергии активации тока деполяризации в области его начального нарастания от величины деполяризующего напряжения и обнаруженное ранее явление образования у границы раздела диэлектрик-полупроводник нейтральных ассоциатов ион + электрон. Рассматриваются транспорт свободных ионов в слое диэлектрика (при этом время пролета имеет термоактивационный характер) и обменные электронно-ионные процессы у межфазной границы Si-SiO2, включающие туннельную ионизацию (распад) нейтральных ассоциатов. Коэффициенты ионного переноса в слоях SiO2, найденные по кривым термостимулированной деполяризации в рамках развитых представлений, хорошо согласуются с данными независимых экспериментов.