Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Длинноволновое излучение в структурах с квантовыми точками, полученными при стимулированном распаде твердого раствора на напряженных островках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3Max--Planck--Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3Max--Planck--Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany
Поступила в редакцию: 15 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
При заращивании массива напряженных наноостровков InAs, сформированных на поверхности GaAs, тонким (1-10 нм) слоем индийсодержащего твердого раствора обнаружен эффект стимулированного распада твердого раствора, приводящий к образованию областей с повышенной концентрацией In вблизи наноостровков. В результате этого эффекта объем сформированной InAs квантовой точки увеличивается, что приводит к значительному длинноволновому смещению линии фотолюминесценции. Данный эффект усиливается с уменьшением температуры подложки и слабо зависит от средней ширины запрещенной зоны твердого раствора. Указанный подход позволил получить излучение на длине волны 1.3 мкм при комнатной температуре.
- N.N. Ledentsov. Prog. Cryst. Growth and Charact., 35, 289 (1997)
- L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
- P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlat. Microstruct., 15, 15 (1994)
- N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
- N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
- М.В. Максимов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев, И.В. Кочнев, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков. Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 31, 162 (1997)
- A.R. Kovsh, D.A. Livshits, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1999) (to be published)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Bert, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner. Proc. ICPS24, Jerusalem, 1998 (World Scientific, 1998)
- R.P. Mirin, J.P. Ibbetson, K. Nishi, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett., 67, 3795 (1995)
- D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 73, 2564 (1998)
- R. Heitz, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 361 (1996)
- А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, А.А. Суворова, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Л. Бимберг. ФТП, 31, 109 (1997)
- M. Sopanen, H. Lispanen, J. Ahopelto. Appl. Phys. Lett., 66, 2364 (1995)
- I.L. Krestnikov, A.V. Sakharov, N.N. Ledentsov, I.P. Soshnikov, Yu.G. Musikhin, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, I.V. Kochnev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Proc. 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1998) p. 257
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
