Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние внешнего электрического поля и энергии облучения на эффективность образования пар Френкеля в кристаллах кремния

Башелейшвили З.В.¹, Пагава Т.А.¹

¹Грузинский технический университет, Тбилиси, Грузия Georgian Technical University, Tbilisi, Georgia

Поступила в редакцию: 30 ноября 1998 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Путем локального облучения p-Si и n-Si с последующим измерением объемной фотоэдс вдоль образца показано, что энергия кулоновского взаимодействия между разноименно заряженными компонентами пар Френкеля ничтожно мала по сравнению с энергией, переданной атому кремния при облучении n-Si электронами с энергией (6/8) МэВ. Высказано предположение, что при облучении n-Si электронами с энергией 8 МэВ каскадный механизм дефектообразования превалирует над диффузионным.

В.С. Вавилов. Действие излучения на полупроводники (М., Наука, 1963)
Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. проф. Л.С. Смирнова (Новосибирск, 1977)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Наука, 1981)
J.W. Corbett. Radiation Effect in Semiconductors (1976) p. 1
Л.С. Милевский, В.С. Гарнык. ФТП, 13(7), 1369 (1979)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец, Е.Х. Назарян. ФТП, 16(4), 687 (1982)
З.В. Башелейшвили, Т.Л. Бжалава, Т.А. Пагава, В.В. Санадзе. Сообщения АН ГССР, 116 (2), 297 (1984)
П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18 (2), 345 (1984)
П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. Электрон. техн., сер. 6, N 2, 38 (1982)
З.В. Башелейшвили, В.С. Гарнык, В.С. Горин, Т.А. Пагава. ФТП, 18, (9), 1714 (1984)
Г.М. Иванов, Н.Н. Сирота. Радиационные дефекты в полупроводниках (Минск, 1972) с. 56

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель