Определение энергетических уровней элементарных первичных дефектов в кремнии
Лукьяница В.В.1
1Минский государственный медицинский институт, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Проведены эксперименты по определению энергетического спектра уровней элементарных первичных дефектов в запрещенной зоне кремния. В основе их лежит нахождение зависимости скорости прямой аннигиляции первичных дефектов от их зарядового состояния. Результаты получены из совместного анализа состояний атомной и электронной подсистем кристалла при вариациях условий облучения его высокоэнергетическими частицами. Установлено, что элементарные первичные дефекты имеют энергетические уровни вблизи Ec-0.28 эВ, Ec-0.44 эВ, Ec-0.65 эВ и Ec-0.86 эВ.
- G.D. Watkins. Deep Levels in Semiconductors (London--N.Y.--Tokyo--Toronto, 1986)
- В.А. Пантелеев, С.Н. Ершов, В.В. Черняховский, С.Н. Нагорных. Письма ЖЭТФ, 23, 688 (1976)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 27, 708 (1993)
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 18, 345 (1984)
- П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница. ФТП, 20, 742 (1986)
- Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977), с. 153
- G.D. Watkins. Conf. ser. N 23 Inst. Phys. "Lattice Defects in Semiconductors" (London--Bristol, 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук