Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии

Волков П.В.¹, Горюнов А.В.¹, Лукьянов А.Ю.¹, Тертышник А.Д.¹, Новиков А.В.¹, Юрасов Д.В.¹, Байдакова Н.А.¹, Михайлов Н.Н.², Ремесник В.Г.², Кузьмин В.Д.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Продемонстрирована возможность измерения температуры подложки в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии при наклонном падении зондирующего света с помощью низкокогерентной тандемной интерферометрии. Исследованы температурные режимы установки выращивания гетероэпитаксиальных структур теллуридов кадмия и ртути "Обь-М" и установки выращивания структур кремний-германий RIBER SIVA-21. Построены калибровочные кривые в диапазоне 0-500^oC, связывающие показания штатной термопары, закрепленной внутри нагревателя, с истинной температурой подложки.

I. Hussla, K. Enke, H. Grundwald, G. Lorentz, H. Stoll. J. Phys. D: Appl. Phys., 20, 889 (1987)
T.P. Pearsall, S.R. Saban, J. Booth, B.T. Beard, jr., S.R. Johnson. Rev. Sci. Instrum., 66, 4977 (1995)
A. Stafford, S.J.C. Irvine, M.U. Ahmed. Semicond. Sci. Technol., 13, 1407 (1998)
А.Ю. Лукьянов, М.А. Новиков, О.В. Сколотов, В.И. Шашкин. Письма ЖТФ, 19 (1), 7 (1993)
А.Н. Магунов. Лазерная термометрия твердых тел (М., Физматлит, 2001)
E. Langereis, S.B.S. Heil, H.C.M. Knoops, W. Keuning, M.C.M. van de Sonden, W.M.M. Kessels. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 073 001 (2009)
G.M.W. Kroesen, G.S. Oehrlein, T.D. Bestwick. J. Appl. Phys., 69, 3390 (1991)
P. Weightman, D.S. Martin, E.J. Cole, T. Farrell. Rep. Progr. Phys., 68, 1252 (2005)
E. Tyrone. Semicond. Sci. Technol., 18, 212 (2003)
Yu. Rao, D.A. Jackson. Meas. Sci. Technol., 7, 981 (1996)
P.V. Volkov, A.V. Goryunov, V.M. Daniltsev, A.Yu. Luk'yanov, D.A. Pryakhin, A.D. Tertyshnik, O.I. Khrykin, V.I. Shaskin. J. Cryst. Growth, 310, 4724 (2008)
П.В. Волков, А.В. Горюнов, В.М. Данильцев, А.Ю. Лукьянов, Д.А. Пряхин, А.Д. Тертышник, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 8, 5 (2008)
П.В. Волков. Микроэлектроника, 40 (5), 331 (2011)
T. Ohta, C. Koshimizu, K. Kawasaki, K. Takeda, M. Ito. J. Appl. Phys., 105, 013 110 (2009)
K. Takeda, Y. Tomekawa, T. Shiina, M. Ito, Y. Okamura, N. Ishii. Jpn. J. Appl. Phys., pt 1, 43, 7737 (2004)
J.E. Kiefr, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 15, 26 (1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель