Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors

Tsai Jung-Hui¹, Huang Chia-Hong¹, Ma Yung-Chun¹, Wu You-Ren¹

¹Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung, Taiwan

Поступила в редакцию: 22 февраля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

In this paper, the characteristics of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors (HBTs) are comparatively investigated by twodimensional simulation analysis. In the setback (heterostructure-emitter) HBT, a thin 50 Angstrem undoped In_0.53Ga_0.47As (n-In_0.53Ga_0.47As) layer is inserted between n-InP emitter and p⁺-InGaAs base layers to lower the energy band at emitter side for decreasing the collector-emitter offset voltage. The simulated results exhibits that the abrupt HBT has the largest current gain, the largest collector-emitter offset voltage, and the smallest unity gain cutoff frequency. While, the setback and heterostructure-emitter HBTs exhibit the smallest current gain and offcet voltage, respectively. Consequentially, the demonstration and comparison of the three-type HBTs provide a promise for design in circuit applications.

M. Borgarino, R. Plana, M. Fendler, J.P. Vilcot, F. Mollot, J. Barette, D. Decoster, J. Graffeuil. Solid-State Electron., 44, 59 (2000)
K. Ishii, H. Nakajima, H. Nosaka, M. Ida, K. Kurishima, S. Yamahata, T. Enoki, T. Shibata. Electron. Lett., 39, 911 (2003)
J.H. Tsai, W.C. Liu, D.F. Guo, Y.C. Kang, S.Y. Chiu, W.S. Lour. Semiconductors, 42, 346 (2008)
W.H. Chen, T.P. Chen, C.J. Lee, C.W. Hung, K.Y. Chu, L.Y. Chen, T.H. Tsai, W.C. Liu. J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 618 (2008)
Y.S. Lin, J.J. Jiang. IEEE Trans. Electron. Dev., 56, 2945 (2009)
J.J. Liou, C.S. Ho, L.L. Liou, C.I. Huang. Solid-State Electron., 36, 819 (1993)
J.H. Tsai, W.S. Lour, H.J. Shih, W.C. Liu, H.H. Lin. Semicond. Sci. Technol., 12, 1135 (1997)
Y.S. Lin, W.C. Hsu, S.Y. Lu, J.S. Su, W. Lin. Mater. Chem. Phys., 59, 91 (1999)
C.R. Bolognesi, M.W. Dvorak, P.X. Yeo, S.P. XG Watkins. IEEE Trans. Electron. Dev., 48, 2631 (2001)
Yuan Tian, H. Wang. Microelectronics J., 37, 595 (2006)
SILVACO 2000 Atals User's Manual Editor I (SILVACO Int. Santa Clara, CA, USA)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель