Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2012, выпуск 12 » Статья стр. 1546
<<<>>>
Высокотемпературный ферромагнетизм Si1-xMnx пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости
Николаев С.Н.1, Рыльков В.В.1,2, Аронзон Б.А.1,3, Маслаков К.И.4, Лихачев И.А.1, Пашаев Э.М.1, Черноглазов К.Ю.1, Семисалова А.С.5, Перов Н.С.5, Кульбачинский В.А.1,5, Новодворский О.А.6, Шорохова А.В.6, Храмова О.Д.6, Хайдуков Е.В.6, Панченко В.Я.6
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
3Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук, Москва, Россия
4Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
5Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
6Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
PDF версия
В диапазоне температур 5-400 K и в магнитных полях до 2 Тл исследованы транспортные и магнитные свойства пленок Si1-xMnx толщиной 55-70 нм с различным содержанием Mn (x=0.44-0.6), полученных методом импульсного лазерного напыления на подложки Al2O3 (0001) при температуре 340oC с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости. Пленки обладали металлическим характером проводимости и удельным сопротивлением rho= (2-8)·10-4 Ом·см, типичным для сильно вырожденных полупроводников. Обнаружено, что для сплава Si1-xMnx с x~0.5 аномальная компонента эффекта Холла доминирует над нормальной компонентой при T=300 K, а температура Кюри существенно превосходит комнатную температуру и по оценке из измерений намагниченности достигает ~500 K (для силицида MnSi температура Кюри TC=30 K). Установлено, что в области низких температур величина аномальной компоненты холловской проводимости определяется "side-jump" и(или) "intrinsic" механизмами, не зависящими от времени рассеяния носителей заряда. Результаты объясняются особенностями формирования дефектов с локализованным магнитным моментом в случае пленок Si1-xMnx с x~0.5 и существенной ролью в обмене между этими дефектами спиновых флуктуаций матрицы.
  1. G. Schmidt, L.W. Molenkamp. Semicond. Sci. Technol., 17, 310 (2002)
  2. E.I. Rashba. Phys. Rev. B, 62, R16267 (2000)
  3. G. Schmidt, D. Ferrand, L.W. Molenkamp, A.T. Filip, B.J. van Wees. Phys. Rev. B, 62, R4790 (2000)
  4. Ю.В. Гуляев, П.Е. Зильберман, А.И. Панас, Э.М. Эпштейн. УФН, 179, 359 (2009)
  5. T. Jungwirth, J. Sinova, J. Mavsek, J. Kucera, A.H. Mac Donald. Rev. Mod. Phys., 78, 809 (2006)
  6. T. Jungwirth, K.Y. Wang, J. Masek, K.W. Edmonds, J. Konig, J. Sinova, M. Polini, N.A. Goncharuk, A.H. Mac Donald, M. Sawicki, A.W. Rushforth, R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B, 72, 165 204 (2005)
  7. S. Zhou, H. Schmidt. Mn-doped Ge and Si: A Review of the Experimental Status, Materials, 3, 5054 (2010)
  8. V.N. Men'shov, V.V. Tugushev, S. Caprara, E.V. Chulkov. Phys. Rev. B, 83, 035 201 (2011); В.Н. Меньшов, В.В. Тугушев. ЖЭТФ, 140, 140 (2011)
  9. С.Н. Николаев, Б.А. Аронзон, В.В. Рыльков, В.В. Тугушев, Е.С. Демидов, С.А. Левчук, В.П. Лесников, В.В. Подольский. Письма в ЖЭТФ, 89, 707 (2009)
  10. B.A. Aronzon, V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, V.V. Tugushev, S. Caprara, V.V. Podolskii, V.P. Lesnikov, A. Lashkul, R. Laiho, R.R. Gareev, N.S. Perov, A.S. Semisalova. Phys. Rev. B, 84, 075 209 (2011)
  11. D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, A.B. Filinov, V.E. Borisenko, N.N. Dorozhkin. Phys. Rev. B, 77, 075 205 (2008)
  12. С.М. Стишов, А.Е. Петрова. УФН, 181, 1157 (2011)
  13. О.А. Новодворский, А.А. Лотин, Е.В. Хайдуков. Патент РФ на полезную модель N 89906. Опубликовано 20.12.2009, Бюл. N 35
  14. Е.В. Хайдуков, О.А. Новодворский, В.В. Рочева, А.А. Лотин, Д.А. Зуев, О.Д. Храмова. Письма в ЖТФ, 37, 39 (2011)
  15. О.А. Новодворский, Л.С. Горбатенко, В.Я. Панченко, О.Д. Храмова, Е.А. Черебыло, К. Венцель, Й.В. Барта, В.Т. Бублик, К.Д. Щербачев. ФТП, 43, 439 (2009)
  16. В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, К.И. Маслаков, В.В. Подольский. ЖЭТФ, 127, 838 (2005)
  17. В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, А.Б. Давыдов, Д.Ю. Ковалев, Е.З. Мейлихов. ЖЭТФ, 121, 908 (2002)
  18. Б.А. Аронзон, А.Б. Грановский, А.Б. Давыдов, М.Е. Докукин, Ю.Е. Калинин, С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, В.В. Тугушев. ЖЭТФ, 130, 127 (2006)
  19. N. Ohtsu, M. Oku, A. Nomura, T. Sugawara, T. Shishido, K. Wagatsuma. Appl. Surf. Sci., 254, 3288 (2008)
  20. S. Okada, T. Shishido, M. Ogawa, F. Matsukawa, Y. Ishizawa, K. Nakajima, T. Fukuda, T. Lundstrom. J. Cryst. Growth, 229, 532 (2001)
  21. H. Ohno, F. Matsukura. Sol. St. Commun., 117, 179 (2001); E. Abe, F. Matsukura, H. Yasuda, Y. Ohno, H. Ohno. Physica E, 7, 981 (2000)
  22. A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett. 95, 017 201 (2005); A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B, 67, 241 308 (2003)
  23. Б.А. Аронзон, В.А. Кульбачинский, П.В. Гурин, А.Б. Давыдов, В.В. Рыльков, А.Б. Грановский, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, Y. Horikoshi, K. Onomitsu. Письма ЖЭТФ, 85, 32 (2007)
  24. N. Nagaosa, J. Sinova, S. Onoda, A.H. Mac Donald, N.P. Ong. Rev. Mod. Phys., 82, 1539 (2010)
  25. T. Dietl. In: Modern Aspects of Spin Physics, Lecture Notes in Physics, ed. by W. Potz, J. Fabian, U. Hohenester (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2007) v. 712, p. 1
  26. M. Lee, Y. Onose, Y. Tokura, N.P. Ong. Phys. Rev. B, 75, 172 403 (2007)
  27. T. Fukumura, H. Toyosaki, K. Ueno, M. Nakano, T. Yamasaki, M. Kawasaki. Jpn. J. Appl. Phys., 46, L642 (2007)
  28. X. Liu, S. Shen, Z. Ge, W.L. Lim, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna, S. Lee. Phys. Rev. B, 83, 144 421 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme