Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP

Тихов С.В.¹, Байдусь Н.В.², Бирюков А.А.², Дегтярев В.Е.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

PDF версия

Исследован адмиттанс кольцевых планарных диодных гетеронаноструктур Au/InGaAs/InP и Au/InGaAs/ InAlAs на i-InP. Структуры состоят из delta-слоя кремния и квантовой ямы InGaAs в эпитаксиальных слоях InP или InAlAs. Из анализа вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик определены профили распределения концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и delta-слоя. Показано, что понижение температуры приводит к увеличению концентрации электронов и подвижности электронов в квантовой яме.

Д.С. Пономарев, И.С. Васильевский и др. ФТП, 46, (4), 500 (2012)
И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев и др. ФТП, 45, 9, 1214 (2011)
C.В. Тихов, Н.В. Байдусь и др. Тез. докл. ХV Междунар. симп. Нанофизика и нанофотоника" (2011) т. 2, с 399
В.И. Зубков. ФТП, 40, (10), 1236 (2006)
В.В. Русаков, Г.Н. Травлеев . Микроэлектроника, 8, (2), 177 (1979)
В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1984) с. 252
В.И. Зубков. Приложение к журналу "Вестник РГРТУ", N 4, ISSN 1995-4565 (Рязань 2009)
Г.И. Пека. Физика поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1967) с. 192
B. Das Mukuda, Kim Bonggi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, N 2, 205 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель