Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий

Тарасова Е.А.¹, Демидова Д.С.¹, Оболенский С.В.¹, Фефелов А.Г.², Дюков Д.И.²

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²ФГУП НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия

Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты моделирования процессов в мощных полевых транзисторах с двумерным газом (HEMT) при облучении квантами высоких энергий (>100 кэВ). Обсуждается возможность использования комплекса аналитической и численной моделей для оптимизации конструкции радиационно-стойких НЕМТ.

С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, N 6, 31 (2002)
М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
Д.А. Моран, К. Кална, Е. Бойд, Ф. Макклелланд, Л.Л. Зуянг, С.Р. Стенли, А. Асенов, Л. Фан. В кн.: Тр. конф. ESSDERC 2003 (Глазго, 2002) с. 315. [Пер. с англ.: D.A. Moran, K. Kalna, E. Boyd, F. McLelland, L.L. Zhuang, C.R. Stanley, A. Asenov, L. Thayne. In: ESSDERC 2003 Conf. Proc. (Department of Electronics Engineering, University of Glasgow, Glasgow, 2003) p. 315]
Р. Зулиг. В кн.: Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988) с. 501
Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, N 5, 348 (2011)
Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
Н.В. Демарина, С.В. Оболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
С.В. Оболенский, Г.П. Павлов. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, N 1, 43 (1994)
А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, N 1, 64 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель