Моделирование мощных HEMT при облучении квантами высоких энергий
Тарасова Е.А.1, Демидова Д.С.1, Оболенский С.В.1, Фефелов А.Г.2, Дюков Д.И.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2ФГУП НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
Приведены результаты моделирования процессов в мощных полевых транзисторах с двумерным газом (HEMT) при облучении квантами высоких энергий (>100 кэВ). Обсуждается возможность использования комплекса аналитической и численной моделей для оптимизации конструкции радиационно-стойких НЕМТ.
- С.В. Оболенский. Изв. вузов. Электроника, N 6, 31 (2002)
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
- Д.А. Моран, К. Кална, Е. Бойд, Ф. Макклелланд, Л.Л. Зуянг, С.Р. Стенли, А. Асенов, Л. Фан. В кн.: Тр. конф. ESSDERC 2003 (Глазго, 2002) с. 315. [Пер. с англ.: D.A. Moran, K. Kalna, E. Boyd, F. McLelland, L.L. Zhuang, C.R. Stanley, A. Asenov, L. Thayne. In: ESSDERC 2003 Conf. Proc. (Department of Electronics Engineering, University of Glasgow, Glasgow, 2003) p. 315]
- Р. Зулиг. В кн.: Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988) с. 501
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, N 5, 348 (2011)
- Е.Р. Аствацатурьян, Д.В. Громов, В.М. Ломако. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия (Минск, Университетское, 1992)
- Н.В. Демарина, С.В. Оболенский. ЖТФ, 72 (1), 66 (2002)
- С.В. Оболенский, Г.П. Павлов. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, N 1, 43 (1994)
- А.С. Пузанов, С.В. Оболенский. Микроэлектроника, N 1, 64 (2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
