"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием
Кальфа А.А., Пашковский А.Б.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Теоретически исследован пространственный перенос электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием при их разогреве в продольном электрическом поле. Проанализирована зависимость величины эффекта от напряжения на металле (затворе) при 300 и 77 К. Использована математическая модель, основанная на учете размерного квантования энергии электронов в приближении треугольной потенциальной ямы и нестационарного разогрева электронов в квазигидродинамическом приближении. Показано, что при определенных параметрах структуры пространственный перенос электронов может уменьшать или даже полностью устранять ее отрицательную дифференциальную проводимость.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.