"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Емкостная спектроскопия локализованных состояний в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Бордовский Г.А., Каничев М.Р.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Приведены результаты изучения емкостных характеристик барьера на границе Me-ХСП в области инфранизких частот (10-5/ 10-3 c-1) при широкой вариации условий эксперимента --- температуры, освещенности. Обнаружено аномально сильное влияние температуры и освещенности на величину емкости, предлагается модель, объясняющая полученные результаты. Показано, что поведение частотных зависимостей определяется характером функции плотности состояний, определен вид последней для As2Se3 в интервале ~0.3 эВ выше EF.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.