"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры фототока delta-легированных GaAs сверхрешеток nipi
Альперович В.Л., Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Семягин Б.Р., Ярошевич А.С.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Представлены результаты измерений спектров фототока в арсенид-галлиевых delta-легированных сверхрешетках (СР) nipi с различным периодом и в структурах с одиночными delta-слоями, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. СР состоит из чередующихся delta-легированных слоев GaAs n- и p-типа, разделенных нелегированными промежутками. Фототок, возникающий благодаря межзонному оптическому поглощению в СР, измерялся между селективными контактами к delta-слоям n- и p-типа. Монотонная часть длинноволнового хвоста поглощения, обусловленного внутренним электрическим полем, хорошо описывается теорией эффекта Франца-Келдыша. Влияние прямого и обратного смещений на длинноволновый хвост поглощения наблюдается как при гелиевой, так и при комнатной температурах. В спектрах фототока обнаружены также дополнительные особенности в виде пиков и более слабых: ступенек. Возможные причины данных особенностей обсуждаются на основе анализа спектров сверхрешеток с различным периодом, а также спектров структур с одиночными delta-слоями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.