"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О степени ионизации собственных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe в широком интервале температур
Елизаров А.И., Богобоящий В.В., Берченко Н.Н.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Изучено поглощение ИК излучения (lambda = 10.6 мкм) легированными индием и медью кристаллами CdxHg1-xTe (x= 0.220/ 0.226) n- и p-типа при температурах 150/330 K в зависимости от дозы легирования. Показано, что поглощение ИК излучения в кристаллах p-типа и собственных осуществляется свободными дырками путем возбуждения их переходов из зоны тяжелых в зону легких дырок. Определены количественные параметры процесса поглощения. Изучен эффект Холла при 10/ 100 K в магнитном поле B=0.24 Т в кристаллах p-CdxHg1-xTe (x~ 0.22), содержащих собственные либо примесные (медь) акцепторы. На основе данных по поглощению ИК излучения и эффекту Холла в нелегированных кристаллах CdxHg1-xTe p-типа показано, что вакансии металла при T > 200 K полностью (дважды) ионизированы. Найдено, что медь создает один акцепторный уровень с энергией 6 мэВ, а собственные дефекты --- два с энергиями 9 и 26 мэВ соответственно. Вывод о двукратной ионизации вакансии сопоставляется с результатами исследования фазовой диаграммы CdxHg1-xTe, полученными различными методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.