Изучается долговременная динамика фотопроводимости компенсированных полупроводников со слабо ионизованными примесями в условиях периодического воздействия импульсного электрического поля. Данная задача возникает при анализе работы многоэлементных матричных фоторезистивных устройств. Типичные значения параметров системы таковы, что при изменении напряжения от фазы импульса к фазе паузы концентрация свободных зарядов изменяется на несколько порядков. В связи с этим для описания сильно нелинейных процессов в работе произведено обобщение подхода, предложенного в работах Р.А. Суриса и Б.И. Фукса. Выведено эффективное граничное условие (ГУ) на инжектирующем контакте. С помощью полученного ГУ исследован характер релаксационных процессов, сопровождающихся развитием нелинейных волн пространственной перезарядки ловушек. Для установившегося режима предсказано значительное повышение фотоэлектрической восприимчивости при периодическом опросе в сравнении с режимом постоянного смещения. Приведены результаты экспериментального исследования, согласующиеся с построенной теоретической моделью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.