"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
Воскобойников А.М., Смоляр В.В., Скрышевский В.А., Стриха В.И.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Для проверки возможности существования немонотонной координатной зависимости потенциала области пространственного заряда в структурах Ni-SiO2-Si производились исследования высоты потенциального барьера при включении инфракрасной подсветки, осуществляющей монополярную генерацию неравновесных электронов. Обнаружен эффект возрастания высоты потенциального барьера в структурах с толщиной диэлектрического слоя меньше 20 Angstrem, что свидетельствует в пользу физической модели контакта металл-полупроводник, учитывающей немонотонный профиль потенциала, обусловленный провисанием заряда, локализованного на поверхностных состояниях, в глубь полупроводника. Рассмотрены конкурирующие механизмы изменения высоты потенциального барьера под воздействием инфракрасной подсветка.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.