"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
Оныськив А.Б., Орищин Ю.М., Савчин В.П., Стахира И.М., Фецюх И.М.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Исследованы электрические, оптические и фотоэлектрические свойства пленок составов InSe, In4Se3 и In2Se. Электропроводность аморфных пленок при комнатной температуре изменяется в пределах от 10-4 до 1 Ом-1· м-1 при изменении состава от InSe до In2Se. Из сопоставления температурных зависимостей электропроводности и фотопроводимости аморфных пленок InSe и In4Se3 определены энергия активации прыжков по локализованным состояниям у края зоны (соответственно 0.09 и 0.05 эВ) и протяженность локализованных состояний (0.18-0.2 эВ). Кристаллизация пленок InSe и In4Se3 сопровождается значительным увеличением электропроводности при сохранении ее активационного характера. Для пленок состава In2Se характерен переход Андерсона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.