"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Топологическая оценка вероятности образования собственных точечных дефектов в кристаллах AIIIBV со структурой сфалерита
Волков Д.А., Фистуль В.И,
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

На примере соединений со структурой сфалерита разработаны принципы топологического подхода к бинарным системам. Приведена сравнительная оценка вероятности образования простейших узельных дефектов и комплексов на их основе. Полученные результаты для соединений AIIIBV свидетельствуют о преобладании антиструктурного разупорядочения в подрешетке A для GaP, InP, GaAs, InAs, InSb и в подрешетке B для GaSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.