Исследованы электрофизические свойства и фотолюминесценция высокоомных монокристаллов кремния n- и p-типа, легированных алюминием при облучении их высокоэнергетичными gamma-квантами. Эффект легирования наблюдается непосредственно после облучения, и уровень легирования растет с увеличением флюенса gamma-квантов. Подвижность носителей заряда (дырок устанавливается на уровне 300-350 см²/В · с после отжига при 300-400^oС. Для достижения заданного уровня легирования кристаллов при полном восстановлении их рекомбинационных параметров необходим отжиг при 700-800^oС.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.