"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
Пищалко В.Д., Толстихин В.И.
Выставление онлайн: 17 февраля 1990 г.

Построена модель инжекционного гетеролазера (ИГЛ) с разогретыми носителями в InGaAsP, последовательно учитывающая все основные неравновесные процессы в его активной области. Получена замкнутая система скоростных уравнений ИГЛ, использующая четыре динамические переменные: эффективную температуру носителей, нормированные на нее квази-уровни Ферми электронов и дырок, эффективную плотность фотонов в лазерном резонаторе Проведен численный расчет стационарного режима работы ИГЛ и обсуждены эффекты разогрева носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.