Рассмотрено поведение ганновских доменов в ряде слоистых полупроводниковых структур. Для одиночной плоской тонкой ямы, по которой движутся электроны, и для сверхрешетки, состоящей из таких ям, даны критерии неустойчивости однородного (бездоменного) параллельного транспорта носителей. Численное моделирование этих, а также delta-легированной структур на основе диффузионно-дрейфового приближения показало, что распределения тянущих полей и суммарной по поперечной координате концентрации в них весьма схожи и напоминают аналогичные распределения в однородно легированных полупроводниках. Отмечен также ряд особенностей ганновской доменизации в слоистых структурах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.