Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокотемпературная диффузия марганца в кремний КДБ-3: формирование фаз Mn₅Si₃ и B₆Si, морфология и электрофизические свойства

Зикриллаев Н.Ф.¹, Саидов С.О.², Шарибаев Н.Ю.³, Мавлонов Г.Х.¹, Абдуганиев Й.А.¹, Назаров Э.С.², Косимов И.О.⁴, Эргашов А.К.³

¹Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан Tashkent State Technical University named after Islam Karimov, Tashkent, Uzbekistan

Tashkent State Technical University named after Islam Karimov, Tashkent, Uzbekistan

²Бухарский государственный университет, Бухара, Узбекистан
³Наманганский государственный технический университет, Наманган, Узбекистан
⁴Институт биоорганической химии им. А. Садыкова, Ташкент, Узбекистан

Email: zikrillaev.nf@gmail.com, safo.saidov.64@mail.ru

Поступила в редакцию: 25 июля 2025 г.

В окончательной редакции: 27 ноября 2025 г.

Принята к печати: 28 ноября 2025 г.

Выставление онлайн: 19 января 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано формирование структурно-фазовых и электрофизических свойств кремния КДБ-3 после высокотемпературной диффузии марганца при 1100 ^oC в условиях замкнутого объема. Методами рентгенофазового анализа показано образование приповерхностного двухфазного слоя, включающего интерметаллическое соединение Mn₅Si₃ и борсилицид B₆Si, при высокой доле аморфизованной компоненты. Сканирующая электронная микроскопия выявила выраженный полимасштабный рельеф, представленный макро-, микро- и наноструктурированными элементами, отражающими неоднородность процессов перераспределения материала в ходе диффузии. Электрофизические измерения показали значительное увеличение удельного сопротивления, снижение подвижности носителей и уменьшение их концентрации, что обусловлено сочетанием аморфной матрицы и распределенных силицидных включений. Полученные результаты демонстрируют взаимосвязь фазового состава, морфологии и транспорта заряда в системе Si:Mn и определяют механизмы формирования функциональных свойств модифицированного кремния КДБ-3. Ключевые слова: кремний КДБ-3, диффузия марганца, фазовый состав, Mn₅Si₃, B₆Si, морфология поверхности, рентгенофазовый анализ, электрофизические свойства.

M.K. Bakhadyrkhanov, Kh.M. Iliev, M.O. Tursunov, S.B. Isamov, S.V. Koveshnikov, M.K. Madjitov. Inorg. Mater., 57, 655 (2021). DOI: 10.1134/S0020168521070027
N.F. Zikrillayev, M.M. Shoabdurahimova, T. Kamilov, A.Z. Khusanov, K.K. Kurbonaliev, N. Norkulov, E.B. Saitov. Phys. Sci. Technol., 9, 89 (2022). DOI: 10.1109/PST55267.2022.00020
H. Li, D. Niu, Z. Zhang, F. Yang, H. Wang, W. Cheng. Materials, 16, 3540 (2023). DOI: 10.3390/ma16103540
I. Kounta, H. Reichlova, D. Kriegner, X. Marti, T. Jungwirth, J. Kunevs. Phys. Rev. Mater., 7, 024416 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.024416
Д.И. Рогило, С.В. Ситников, Е.Е. Родякина, А.А. Шкляев. Кристаллография, 66, 528 (2021). DOI: 10.31857/S0023476121060101
J. Rial, A. Bhowmik, I. Kezsmarki, D. Kriegner, H. Reichlova, X. Marti. Phys. Rev. B, 110, L220411 (2024). DOI: 10.1103/PhysRevB.10.L220411
Х.Ф. Зикриллаев, К.С. Аюпов, Г.Х. Мавлонов, Ф.Х. Каримов. ФТП, 56, 528 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52664.9760
W. Kern. J. Electrochem. Soc., 137 (6), 1887 (1990). DOI: 10.1149/1.2086825
M. Hortamani, V.G. Ruiz, A. Qadeer, P. Kratzer, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 74, 205305 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.205305
N.S. Chauhan, S.G. Sara, A. Bhattacharya, T. Mori, Y. Miyazaki. Adv. Funct. Mater., 34, 2313948 (2024). DOI: 10.1002/adfm.202313948
S.-H. Kim, J.-H. Park, J.-K. Lee. Appl. Surf. Sci., 622, 156821 (2023). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.156821
H. Reichlova, R.L. Seeger, R. Gonzalez-Hernandez, I. Kounta, R. Schlitz, D. Kriegner, P. Ritzinger, M. Lammel, M. Leiviska, A.B. Hellenes, K. Olejni k, V. Petvri cek, P. Dolevzal, L. Horak, E. Schmoranzerova, A. Badura, S. Bertaina, A. Thomas, V. Baltz, L. Michez, J. Sinova, S.T.B. Goennenwein, T. Jungwirth, L. vSmejkal. Nature Commun., 15, 4961 (2024). https://doi.org/10.1038/s41467-024-48493-w
D. Senk, G. Borchardt. Microchim. Acta, 80, 477 (1983). https://doi.org/10.1007/BF01200866
R. Ume, H. Gong, V. Tokranov, M. Yakimov, K. Brew, G. Cohen, C. Lavoie, S. Schujman, J. Liu, A.I. Frenkel, K. Beckmann, N. Cady, S. Oktyabrsky. J. Appl. Phys., 132 (3), 035103 (2022). DOI: 10.1063/5.0096022
M. Idrees, M.W. Khurami, B. Amin, Y. Chen, X. Yan. Mater. Sci. Semicond. Process., 163, 107593 (2023). DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107593

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель