Образцы пористого карбида кремния, изготовленные анодным травлением исходных кристаллов 6H-SiC n-типа проводимости, исследованы методами инфракрасного отражения, комбинационного рассеяния, импульсной и непрерывной фотолюминесценции. В пористом слое обнаружена фаза beta-SiC, и сделана попытка найти корреляцию между объемом этой фазы и амплитудой широкой полосы непрерывной красно-зеленой фотолюминесценции, возникающей в пористом слое. Выяснено, что образцы, изготовленные в разных условиях, представляют собой две группы: в одной из них упомянутая корреляция, по-видимому, существует, а в другой она полностью отсутствует. Высказано предположение, что причиной интенсивной фотолюминесценции во второй группе образцов являются некие центры (дефекты), возникающие при травлении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.