Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

О роли неона в образовании магнитно-упорядоченных слоев в кремнии при сверхбольших дозах облучения

Хохлов А.Ф.¹, Ежевский А.А.¹, Машин А.И.¹, Хохлов Д.А.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 15 августа 1994 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.

PDF версия

Обсуждается образование кремний-неонового решетчатого клатратного соединения в процессе облучения монокристалического кремния ионами Ne⁺ при сверхбольших дозах. Из экспериментов по эффузии неона и оже-спектров была рассчитана концентрация неона, которая оказалась близкой к плотности кристаллического неона. Были сделаны выводы о том, что образование и накопление дефектов вакансионного типа при облучении приводит сначала к аморфизации кремния, а затем к образованию устойчивого решетчатого клатратного соединения Si_xNe_y при заполнении пустот атомами неона в аморфном кремнии. На основе этой модели обсужден переход в ферромагнитное состояние спинов оборванных связей кремния при сверхбольших дозах облучения ионами неона.

А.Ф. Хохлов, П.В. Павлов. Письма в ЖЭТФ, 24, 238 (1976)
S.J. Hadgens. Phys. Rev. B, 14, 1547 (1976)
S. Hasegawa, S. Yazaki, T. Shimizu. Sol. St. Commun., 23, 901 (1977)
Ф.Н. Буханько. ФТТ, 30, 2854 (1988)
M.N. Brodsky, R.S. Title. AIP Conf. Proc., 31, 97 (1976)
A.F. Khokhlov, A.I., A.I. Mashin, A.M. Satanin. Phys. St. Sol. (b), 105, 129 (1981)
А.Ф. Хохлов, А.А. Ежевский, Е.С. Демидов, П.В. Павлов, Е.И. Зорин. В кн.: \it Взаимодействие атомных частиц с твердым телом (Харьков, Изд-во Харьк. ун-та, 1976) т. 2, с. 22
Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, А.И. Машин, А.Ф. Хохлов. ФТП, 11, 190 (1977)
О.Н. Горшков. Автореф. канд. дис. (Горький, 1980)
W. Beyer. In: \it Tetrahedrally-Bonded Amorphous Semiconductors, ed. by D. Adler, H. Fritzsche (N.Y., Plenum Press, 1985) p. 129
А.М. Панеш. В сб.: \it Конкурс научных работ памяти академика Г.А. Разуваева (Н. Новгород, 1994)
А.Ф. Хохлов, А.А. Ежевский, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. ДАН, 339, N 3 (1994)
М. Хаган. \it Клатратные соединения включения (М., Мир, 1966)
M.N. Brodsky, D. Kaplan, J.F. Zeigler. Appl. Phys. Lett., 21, 305 (1972)
Г.М. Пауэлл. В кн.: \it Нестехиометрические соединения (М., Мир, 1971) с. 398
А.И. Машин, Д.И. Тетельбаум, А.Ф. Хохлов. ФТП, 12, 538 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель